[實用新型]一種DFB激光器外延結構

有效

• 申請號: 202020595628.1
• 申請日: 2020-04-20
• 公開（公告）號: CN211605647U
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 單智發;張永;姜偉;陳陽華;方天足
• 申請（專利權）人: 全磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01S5/32
• 分類號: H01S5/32;H01S5/323;H01S5/343;C23C16/455;C23C16/30
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 劉計成

1.一種DFB激光器外延結構，包括InP基底，在所述InP基底依次采用MOCVD沉積的InP外延層、AlInAsP插入層、AlInAs外延層、N-AlGaInAs波導層、AlGaInAs MQW、P-AlGaInAs波導層、P-AlInAs 限制層、P-InP限制層、腐蝕阻擋層、InP聯接層、光柵層、InGaAsP勢壘過度層、以及InGaAs歐姆接觸層；其特征在于：在所述InP外延層中插入若干與InP晶格匹配的InGaAs薄層。

2.根據權利要求1所述的一種DFB激光器外延結構，其特征在于：在所述InP基底上，第一層先采用InGaAs外延層，然后再采用InP外延層。

3.根據權利要求1所述的一種DFB激光器外延結構，其特征在于：所述InGaAs薄層的插入層數不少于6層。

4.根據權利要求1所述的一種DFB激光器外延結構，其特征在于：所述InP基底電導率為2-8x10¹⁸cm^-2。