[實用新型]具有自適應性的拋光頭

有效

• 申請號: 202020580239.1
• 申請日: 2020-04-18
• 公開（公告）號: CN211163481U
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 趙德文;孟松林;王宇
• 申請（專利權）人: 華海清科股份有限公司
• 主分類號: B24B41/047
• 分類號: B24B41/047;B24B41/00;B24B37/32;B24B37/12;B24B37/20
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一種具有自適應性的拋光頭，包括樞軸組件、基體及夾片組件，所述樞軸組件由軸體及盤體組成，所述基體上設置有適于與所述軸體配合的軸孔，所述夾片組件上設置有適于與所述盤體配合的凹槽；所述樞軸組件上的軸體與基體上的軸孔配合設置，樞軸組件上的盤體設置在夾片組件上的凹槽內；其特征在于，所述盤體的外周壁設有環形凸緣，所述環形凸緣的外周面與所述凹槽的內周壁之間設置有緩沖件。

技術領域

本實用新型涉及化學機械拋光技術領域，尤其涉及一種具有自適應性的拋光頭。

背景技術

拋光頭是化學機械拋光單元的重要組成部分，相關技術的拋光頭相當于一個萬向節，樞軸組件只能吸收夾片組件與基座之間的上下方向振動，在旋轉驅動機構的帶動下，樞軸組件相對于基座做高速旋轉運動，使得樞軸組件在會出現一定偏轉，會產生周向的擺動，存在定心功能不足、自適應性差的問題。

為了增強樞軸組件及拋光頭的自適應性可以設置諸如橡膠墊圈的緩沖件等以增加樞軸組件的柔性/自適應性，但可能造成樞軸組件與拋光頭的其他零部件之間產生摩擦，進而可能產生金屬顆粒和/或離子的污染，這些金屬顆粒和/或離子的污染可能降低拋光頭的維保周期甚至于損傷晶圓。在某些制程中，金屬顆粒和/或離子污染往往是難以發現但困擾生產的致命因素。如圖9所示，環形凸緣15可能與夾片組件20時間產生磨損從而產生金屬顆粒碎屑。換言之，對于樞軸組件及具有該樞軸組件的拋光頭而言，增強自適應性的同時意味著可能產生金屬摩擦進而加劇金屬顆粒和/或離子污染從而影響半導體芯片的良品率。

實用新型內容

本實用新型旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本實用新型提出一種具有自適應性的拋光頭。

根據本實用新型實施例的具有自適應性的拋光頭，包括樞軸組件、基體及夾片組件，所述樞軸組件由軸體及盤體組成，所述基體上設置有適于與所述軸體配合的軸孔，所述夾片組件上設置有適于與所述盤體配合的凹槽；所述樞軸組件上的軸體與基體上的軸孔配合設置，樞軸組件上的盤體設置在夾片組件上的凹槽內；其特征在于，所述盤體的外周壁設有環形凸緣，所述環形凸緣的外周面與所述凹槽的內周壁之間設置有緩沖件以避免所述凸緣的外周面與所述凹槽的內周壁之間產生直接接觸。

可選的，所述緩沖件由軟質材料制成。

可選的，所述緩沖件形成為包覆全部所述凸緣的內凹狀的環形圈或者形成為豎直的環形圈。

可選的，所述緩沖件由橡膠材料制成并且厚度不超過所述凸緣的厚度。

可選的，所述緩沖件的厚度為所述凸緣厚度的30％至70％。

可選的，形成為包覆全部所述凸緣的緩沖件的側壁的厚度小于所述緩沖件的上壁的厚度且小于所述緩沖件的下壁的厚度。

可選的，所述形成為豎直的環形圈的緩沖件的高度大于等于所述凸緣的高度。

可選的，所述緩沖件與所述凸緣之間為點接觸且所述緩沖件的厚度大于等于0.1mm。

可選的，所述緩沖件的厚度設置為小于等于所述環形凸緣的外周面與所述凹槽的內周壁之間水平距離。

可選的，所述緩沖件的內表面涂覆有防止所述緩沖件與所述凸緣之間黏連的物質，或者，所述緩沖件的內表面涂覆有增強所述緩沖件與所述凸緣之間潤滑的物質。

本實用新型的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。本實用新型的有益效果至少包括：在增加拋光頭的自適應性的避免了產生金屬污染的風險從而降低了維保及清理費用。

附圖說明

圖1是根據本實用新型實施例的具有適應性拋光頭的樞軸組件的結構示意圖；

圖2是根據本實用新型一個實施例的具有適應性拋光頭的樞軸組件的剖視意圖；