[實用新型]用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置有效
| 申請號： | 202020478077.0 | 申請日： | 2020-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN211872143U | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 王利偉;尹嘉琦;李萬朋;滕野;陳召彬 | 申請（專利權）人： | 大連連城數控機器股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/16 | 分類號： | C30B15/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人： | 趙淑梅;李洪福 |
| 地址： | 116000 遼寧省大連市甘井子區營城*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 提高 直拉單晶 生長 速度 熱輻射 反射 裝置 | ||
1.一種用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于，包括設置在直拉單晶爐的爐蓋內側的反射裝置，所述反射裝置具有至少一個用于反射熱輻射的反射面。
2.根據權利要求1所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述反射面是由母線圍繞所述爐蓋的軸線旋轉一周形成，且所述反射面的外徑從反射面的底部至所述反射面的頂部依次增大。
3.根據權利要求2所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述母線為直線或折線或曲線或直線與曲線的組合或折線與曲線的組合。
4.根據權利要求2所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述母線的底部與所述爐蓋的軸線之間的夾角為10°～80°。
5.根據權利要求4所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述母線的底部與所述爐蓋的軸線之間的夾角為30°～60°。
6.根據權利要求1～5任一權利要求所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述反射裝置包括反射環，所述反射環的外表面與所述反射面相匹配。
7.根據權利要求6所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述反射環的頂部外沿具有用于與所述爐蓋連接的連接端。
8.根據權利要求6所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述爐蓋上觀測孔與所述爐蓋的軸線的距離大于所述反射面頂部至所述爐蓋的軸線的距離。
9.根據權利要求6所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述反射環內具有夾層，且所述夾層內設有循環水。
10.根據權利要求6所述的用于提高直拉單晶生長速度的熱輻射反射裝置，其特征在于：
所述爐蓋上觀測孔與所述爐蓋的軸線的距離小于所述反射面頂部至所述爐蓋的軸線的距離，且所述反射面上加工有與所述觀測孔相匹配的通孔。
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