[實(shí)用新型]一種低輸入電容IGBT

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020457300.3
• 申請(qǐng)日: 2020-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN211743163U
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱旭強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 宜興杰芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 北京思創(chuàng)大成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11614
• 代理人: 尹慧晶

1.一種低輸入電容的IGBT，其特征是它包括從下至上依次布置的背面P注入?yún)^(qū)(1)和N-區(qū)(2)，在N-區(qū)(2)的兩側(cè)具有P阱區(qū)(3)，在前述P阱區(qū)(3)的內(nèi)部均布置有N+源區(qū)(4)，在兩P阱區(qū)(3)和中部N-區(qū)(2)交界位置的上表面均布置有柵氧區(qū)(7)，在兩柵氧區(qū)(7)的中部布置場(chǎng)氧區(qū)(6)，且前述場(chǎng)氧區(qū)(6)位于N-區(qū)(2)的上表面，兩柵氧區(qū)(7)以及部分與對(duì)應(yīng)柵氧區(qū)(7)相鄰的場(chǎng)氧區(qū)(6)的上表面具有多晶柵區(qū)(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輸入電容的IGBT，其特征是所述的N-區(qū)(2)采用熔單晶材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輸入電容的IGBT，其特征是所述的場(chǎng)氧區(qū)(6)為13000A場(chǎng)氧區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輸入電容的IGBT，其特征是所述的場(chǎng)氧區(qū)(6)的高度大于兩側(cè)柵氧區(qū)(7)的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輸入電容的IGBT，其特征是兩個(gè)N+源區(qū)(4)的間距長度為20um～35um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輸入電容的IGBT，其特征是所述的場(chǎng)氧區(qū)(6)長度為8um～23um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低輸入電容的IGBT，其特征是兩個(gè)多晶柵區(qū)(5)的間距長度為6um～21um。