[實用新型]一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020281180.6 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN211734467U | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇邁納德微納技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司: | 無錫市才標專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 田波 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電容 耦合 等離子體 原子 沉積 反應(yīng) | ||
本實用新型涉及原子層沉積反應(yīng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體,包括腔體底座和腔體蓋,所述腔體底座的內(nèi)側(cè)安裝有環(huán)壁隔熱層,所述腔體底座腔體端口內(nèi)側(cè)底部安裝有水冷蓋板,所述腔體底座的兩側(cè)對稱安裝有伸縮氣彈簧,所述腔體底座的內(nèi)側(cè)壁安裝有中央加熱盤,腔體底座的底部安裝有與中央加熱盤相連通的法蘭焊接頭。該電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體,通過電容耦合,激發(fā)反應(yīng)氣體活化,使反應(yīng)氣體具有更好的反應(yīng)活性,從而提高原子層沉積過程中的反應(yīng)效率,降低沉積溫度,提高薄膜的沉積質(zhì)量有效的增加了設(shè)備水平壓力穩(wěn)定性,外腔體筒的內(nèi)側(cè)臺階式設(shè)計,有效的降低放電離子撞擊設(shè)備腔體內(nèi)側(cè)壁。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及原子層沉積反應(yīng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體。
背景技術(shù)
原子層沉積是一種通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器內(nèi)將物質(zhì)以單原子膜的形式一層一層的化學(xué)吸附在基底表面的方法,與傳統(tǒng)的沉積工藝相比,在原子層沉積過程中,不同的反應(yīng)物前驅(qū)體則是以氣體脈沖的形式交替送入反應(yīng)器內(nèi),每種反應(yīng)物飽和吸附后過剩的反應(yīng)物則被惰性氣體沖走。原子層沉積的自限制性和互補性使其在薄膜的成分和厚度控制方面有出色的優(yōu)勢,所制備的薄膜均勻性好,純度高并且具有良好的保形性。原子層沉積適合于各種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的襯底,能沉積具有大的高深寬比結(jié)構(gòu),同時還可以在熱穩(wěn)定性低的柔性基底上沉積材料。前驅(qū)體的飽和化學(xué)吸附能保證生成大面積均勻薄膜。因此,反應(yīng)前驅(qū)體是否被基底表面化學(xué)吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵,而原子層沉積反應(yīng)需要在腔體內(nèi)密封反應(yīng),但現(xiàn)有的原子層沉積反應(yīng)腔體密封性較差,原子層沉積反應(yīng)腔體在進行反應(yīng)時,原子層沉積無法在腔體內(nèi)部實現(xiàn)有效充分反應(yīng),因此發(fā)明人設(shè)計了一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體,通過產(chǎn)生等離子體來保證等離子原子層的充分反應(yīng)。
實用新型內(nèi)容
(一)解決的技術(shù)問題
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實用新型提供了一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體,解決了原子層沉積反應(yīng)腔體設(shè)備密封性不好降低了原子層沉積反應(yīng)質(zhì)量的問題。
(二)技術(shù)方案
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體,包括腔體底座和腔體蓋,所述腔體底座的內(nèi)側(cè)安裝有環(huán)壁隔熱層,所述腔體底座腔體端口內(nèi)側(cè)底部安裝有水冷蓋板,所述腔體底座的兩側(cè)對稱安裝有伸縮氣彈簧,所述腔體底座的內(nèi)側(cè)壁安裝有中央加熱盤,腔體底座的底部安裝有與中央加熱盤相連通的法蘭焊接頭。
所述腔體底座與腔體蓋之間通過鉸接座活動連接,兩個所述伸縮氣彈簧的伸縮桿末端與腔體蓋上的鉸接座部分活動連接,所述腔體蓋的端口內(nèi)側(cè)固定安裝有頂部勻氣盤,所述腔體蓋在遠離腔體底座的另一端口處安裝有外腔體筒,所述外腔體筒的內(nèi)側(cè)安裝有聚四氟乙烯腔體筒,聚四氟乙烯腔體筒的內(nèi)側(cè)端口處安裝有聚四氟乙烯勻氣盤,所述聚四氟乙烯腔體筒的內(nèi)側(cè)壁安裝有密封圈,所述外腔體筒在遠離腔體蓋的端面通過螺釘連接有螺釘法蘭,所述螺釘法蘭和外筒體筒之間安裝有聚四氟乙烯頂板,所述螺釘法蘭上通過螺栓固定連接有CF法蘭焊接頭,所述螺釘法蘭和聚四氟乙烯頂板上開設(shè)有相互連通的通孔,所述CF法蘭焊接頭通過通孔與聚四氟乙烯腔體筒相連通。
優(yōu)選的,所述腔體底座的大端口與腔體蓋的大端口相適配。
優(yōu)選的,所述腔體蓋上固定安裝有拉動把手。
優(yōu)選的,所述外腔體筒采用plasma腔體簡。
優(yōu)選的,所述法蘭焊接頭的端口與腔體底座1的內(nèi)腔相連通。
優(yōu)選的,所述法蘭焊接頭采用KF25法蘭焊接頭。
(三)有益效果
本實用新型提供了一種電容耦合等離子體原子層沉積反應(yīng)腔體。具備以下有益效果:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





