[實(shí)用新型]一種ISGW波束掃描漏波天線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020240062.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN211670320U
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁揚(yáng)揚(yáng);馬祖輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01Q1/38
• 分類號(hào): H01Q1/38;H01Q1/50
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 陽(yáng)佑虹

1.一種ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，包括頂層介質(zhì)板(10)、上層介質(zhì)板(6)和下層介質(zhì)板(1)，所述上層介質(zhì)板(6)和下層介質(zhì)板(1)間存在間隙；其中：

所述頂層介質(zhì)板(10)作為天線的輻射單元，用于提高天線增益；

所述上層介質(zhì)板(6)的上表面設(shè)置有第一敷銅層(8)；所述第一敷銅層(8)上開設(shè)有N個(gè)縫隙單元，N為正整數(shù)，每個(gè)縫隙單元均包括兩個(gè)形金屬縫隙(9)；上層介質(zhì)板(6)的下表面設(shè)置有饋電微帶線(11)，所述饋電微帶線(11)貫穿整個(gè)上層介質(zhì)板(6)；每對(duì)縫隙單元的兩個(gè)形金屬縫隙(9)均排布在饋電微帶線(11)兩側(cè)；所述饋電微帶線(11)兩端的端口(7、12)中，一端用于連接激勵(lì)源，另一端用于連接匹配負(fù)載；

所述下層介質(zhì)板(1)的下表面設(shè)置有第二敷銅層(2)，下層介質(zhì)板(1)上設(shè)置有電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列，該電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列中的每一電磁帶隙結(jié)構(gòu)均與第二敷銅層(2)連接；

所述上層介質(zhì)板(6)和下層介質(zhì)板(1)形成一個(gè)整體，所述頂層介質(zhì)板(10)設(shè)置于上層介質(zhì)板(6)的上表面。

2.如權(quán)利要求1所述的ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，所述上層介質(zhì)板(6)和下層介質(zhì)板(1)之間，設(shè)置有絕緣的中層介質(zhì)板(5)，所述中層介質(zhì)板(5)的兩個(gè)表面分別連接所述上層介質(zhì)板(6)和所述下層介質(zhì)板(1)。

3.如權(quán)利要求1所述的一種ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)陣列為蘑菇型EBG結(jié)構(gòu)陣列。

4.如權(quán)利要求3所述的一種ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，所述蘑菇型EBG結(jié)構(gòu)陣列的結(jié)構(gòu)為：在所述下層介質(zhì)板(1)上表面陣列排布有若干圓形金屬貼片(4)，在各圓形金屬貼片(4)的中心，貫穿所述圓形金屬貼片(4)、下層介質(zhì)板(1)和第二敷銅層(2)，設(shè)置有金屬過孔(3)，所述金屬過孔(3)和對(duì)應(yīng)的圓形貼片構(gòu)成EBG結(jié)構(gòu)，陣列式排布的圓形金屬貼片(4)和對(duì)應(yīng)的金屬過孔(3)則構(gòu)成蘑菇型EBG結(jié)構(gòu)陣列。

5.如權(quán)利要求1所述的一種ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，每個(gè)縫隙單元中兩個(gè)縫隙(9)的間距為7.7mm，每個(gè)縫隙單元中的兩個(gè)縫隙(9)的物理中點(diǎn)在饋電微帶線(11)上的投影相距3.85mm，每個(gè)縫隙單元中的兩個(gè)縫隙(9)物理中點(diǎn)偏離饋電微帶線(11)中心線的距離均為3.85mm，每個(gè)縫隙單元間的間距為7.3mm，饋電微帶線(11)兩端的中心與距其最近的縫隙單元的物理中心的距離均為13.7mm。

6.如權(quán)利要求2所述的一種ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，所述頂層介質(zhì)板(10)采用Rogers3003板材，所述上層介質(zhì)板(6)、中層介質(zhì)板和下層介質(zhì)板(1)均采用RogersRT/duroid5880板材。

7.如權(quán)利要求6所述的一種ISGW波束掃描漏波天線，其特征在于，所述頂層介質(zhì)板(10)板厚0.762mm，所述上層介質(zhì)板(6)、中層介質(zhì)板和下層介質(zhì)板(1)的板厚分別為0.508mm、0.254mm和0.813mm。