[實用新型]真空蒸膜設備有效
| 申請號: | 202020239793.3 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN212800529U | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 陳珉;黎守新 | 申請(專利權)人: | 成都晶砂科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 成都百川興盛知識產權代理有限公司 51297 | 代理人: | 王云春;夏曉明 |
| 地址: | 610041 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 設備 | ||
1.一種真空蒸膜設備,其特征在于,包括:
真空室,其包括提供真空環境的空腔;
蒸發源,其設置于空腔內;
晶振座,其設置于空腔內,其朝向蒸發源;
晶振,其安裝于晶振座;
傳感器,其安裝于晶振座,其用于測量晶振的頻率變化量并將所測量的晶振的頻率變化量轉換成第一電信號;
前反饋控制模塊,其用于獲取第一電信號并對材料沉積在晶振上的時間進行計時得到沉積時間t,其用于基于所獲取的第一電信號得到晶振的頻率變化量,其用于基于晶振的頻率變化量計算得到沉積在晶振上的材料的質量變化量,再基于沉積在晶振上的材料的質量變化量和沉積時間計算得到蒸發源中材料的蒸發速率V;
機架,其設置于空腔內;
基板,其設置于空腔內;
發光部件,其設置于機架,其位于基板朝向蒸發源的面的前方并向基板發出入射光;
光電傳感器部件,其設置于機架,其位于與基板朝向蒸發源的面相背的那面并與發光部件對置,其用于感應入射光透過基板的光的透射光強度并將所感應的透射光強度轉換成第二電信號;
后反饋控制模塊,其用于獲取第二信號及發光部件向基板發出的入射光強度,然后基于所獲取的第二信號得到透射光強度,再基于所獲取的入射光強度、所得到的透射光強度計算得到蒸發成氣態的材料沉積在基板上膜層的實際測量厚度;
蒸發源擋板,其設置于空腔內位于蒸發源與基板、晶振之間的位置并能沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡往復移動使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積增大、減小或保持不變;
第一驅動裝置,其用于驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡往復移動;
總控制模塊,其用于將蒸發速率與預定蒸發速率比較得到比較結果并基于比較結果向前反饋控制模塊發出控制第一驅動裝置驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡往復移動使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振座、基板流動的路徑的面積增大、減小或保持不變的第一控制信號,其還用于當實際測量厚度等于或大于預定厚度值時發出表征蒸膜已完成的第二控制信號。
2.根據權利要求1所述真空蒸膜設備,其特征在于,所述總控制模塊當比較結果為蒸發速率大于預定蒸發速率時向前反饋控制模塊發出使蒸發源擋板擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積增大的第一控制信號,前反饋控制模塊收到該第一控制信號后控制第一驅動裝置驅動源擋板擋沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡向蒸發源與基板、晶振之間的位置內移動以使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積增大;或者,總控制模塊當比較結果為蒸發速率小于預定蒸發速率時向前反饋控制模塊發出使蒸發源擋板擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積減小的第一控制信號,前反饋控制模塊收到該第一控制信號后控制第一驅動裝置驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡向蒸發源與基板、晶振之間的位置外移動以使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振座、基板流動的路徑的面積減小;或者,總控制模塊當比較結果為蒸發速率等于預定蒸發速率時向前反饋控制模塊發出使蒸發源擋板擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積保持不變的第一控制信號,前反饋控制模塊收到該第一控制信號后控制第一驅動裝置保持靜默狀態,使蒸發源擋板在蒸發源與基板、晶振之間的位置保持不變以使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積保持不變。
3.根據權利要求1所述真空蒸膜設備,其特征在于,還包括設置于空腔內位于監測孔與蒸發源之間位置并能夠擋住或露出監測孔的晶振擋板,監測孔設置于晶振座并朝向蒸發源。
4.根據權利要求1所述真空蒸膜設備,其特征在于,還包括設置于機架的擋住基板與機架之間間隙的保護擋板。
5.根據權利要求4所述真空蒸膜設備,其特征在于,所述發光部件、保護擋板和光電傳感器部件處于與基板垂直的同一直線方向。
6.根據權利要求1-5任一項所述真空蒸膜設備,其特征在于,所述前反饋控制模塊還用于將蒸發速率換算成表征蒸發成氣態的材料沉積在基板上膜層理論厚度的計算測量值,所述總控制模塊基于計算測量值與實際測量值之間的差值修正膜層預定沉積時間。
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