[實(shí)用新型]一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片及晶圓有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020206680.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN211183922U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李宗杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廣東惠倫晶體科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03H9/19 | 分類(lèi)號(hào): | H03H9/19;H03H1/00 |
| 代理公司: | 廣東莞信律師事務(wù)所 44332 | 代理人: | 鐘宇宏 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 增加 能量 閉鎖 效益 石英 壓電 晶片 | ||
1.一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:所述石英壓電晶片具有一基底,所述基底一端的上表面與下表面對(duì)稱(chēng)設(shè)置有凹槽,所述凹槽中部設(shè)置有凸臺(tái),所述凸臺(tái)的高度小于凹槽的深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于,所述凸臺(tái)的高度為h,所述凹槽的深度為d,且滿足以下條件式:
h/d=0.1~0.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:h/d=0.8。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:所述凹槽的深度為1~30微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:還包括第一電極膜和第二電極膜,所述第一電極膜設(shè)置在所述凸臺(tái)的表面,所述第二電極膜設(shè)置在遠(yuǎn)離凹槽的另一端,且該第二電極膜包括第一引腳和第二引腳,所述第一引腳和第二引腳分離且絕緣設(shè)置,所述第一引腳與所述第一電極膜通過(guò)導(dǎo)電薄膜電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:所述基底靠近第一引腳與第二引腳處分別設(shè)置有第一缺口和第二缺口,所述第一缺口的表面設(shè)置有第三電極膜,所述第二缺口的表面設(shè)置有第四電極膜,所述第三電極膜與第一引腳電性連接,所述第四電極膜與第二引腳電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:所述凹槽為圓形凹槽或矩形凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加能量閉鎖效益的石英壓電晶片,其特征在于:所述凸臺(tái)為圓形凸臺(tái)或矩形凸臺(tái)。
9.一種晶圓,其特征在于包括多個(gè)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)的石英壓電晶片,所述石英壓電晶片呈陣列分布,且相鄰兩石英壓電晶片之間的第一缺口和第二缺口形成石英壓電晶圓的鏤空區(qū)。
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