[實用新型]一種LED外延片有效
| 申請號: | 202020005747.7 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN211879400U | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 滕龍;霍麗艷;吳洪浩;劉兆 | 申請(專利權)人: | 江西乾照光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/20 | 分類號: | H01L33/20;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 夏菁 |
| 地址: | 330103 江西省南*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 外延 | ||
本實用新型提供了一種LED外延片,包括襯底、位于所述襯底表面的翹曲控制層、依次位于所述翹曲控制層表面的N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層;其中,所述翹曲控制層是通過對所述襯底進行加熱,并采用氮化氣體對所述襯底進行氮化處理形成的,所述氮化氣體至少包括氨氣。對襯底進行加熱,并采用氮化氣體對襯底進行氮化處理,可以使得氨氣與襯底表面的一些化學鍵結合,形成晶格常數介于襯底和半導體層中間的物質即翹曲控制層,從而可以通過翹曲控制層減少襯底和半導體層之間因晶格失配產生的壓應力或張應力,進而減小和改變LED外延片的翹曲,提高LED外延片的波長均勻性,提高LED外延片的良率,節約后續形成的LED芯片的分選成本。
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,更具體地說,涉及一種LED外延片。
背景技術
LED外延片是指在藍寶石、硅等襯底基片上生長出的外延結構。LED外延片處于LED產業鏈中的上游環節,是半導體照明產業技術含量最高、對最終產品品質、成本控制影響最大的環節。近年來,下游應用市場的繁榮帶動LED產業迅猛發展,也給LED外延片市場迎來發展良機。
為了節約生產成本,現有的LED外延片的尺寸由2英寸擴大到4英寸,甚至6英寸、8英寸,但是,隨著LED外延片尺寸的增加,LED外延片的生長也面臨著很多困難,如由于晶格失配導致的LED外延片翹曲過大等,嚴重影響著LED外延片的性能。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型提供了一種LED外延片,以解決LED外延片面對的翹曲過大的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種LED外延片,包括襯底、位于所述襯底表面的翹曲控制層、依次位于所述翹曲控制層表面的N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層。
可選地,所述襯底為PSS鍍AlN襯底或藍寶石襯底。
可選地,還包括位于所述翹曲控制層和所述N型半導體層之間的緩沖層;
或者,還包括依次位于所述翹曲控制層和所述N型半導體層之間的緩沖層和非摻雜半導體層。
與現有技術相比,本實用新型所提供的技術方案具有以下優點:
本實用新型所提供的LED外延片,對襯底進行加熱,并采用氮化氣體對襯底進行氮化處理,使得氨氣與襯底表面的一些化學鍵結合,形成晶格常數介于襯底和半導體層中間的物質即翹曲控制層,從而可以通過翹曲控制層減少襯底和半導體層之間因晶格失配產生的壓應力或張應力,進而減小和改變LED外延片的翹曲,提高LED外延片的波長均勻性,提高LED外延片的良率,節約后續形成的LED芯片的分選成本。
并且,由于本實用新型只是在外延生長之前利用氣氛對襯底表面進行氮化處理形成翹曲控制層,而不用額外通入鎵源等生長增加外延層,即在不增加外延層厚度的前提下可有效調節最終外延片的翹曲程度,從而可以節約成本。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請實施例提供的一種LED外延片的結構示意圖;
圖2為本申請實施例提供的另一種LED外延片的結構示意圖;
圖3為本申請實施例提供的另一種LED外延片的結構示意圖;
圖4為現有技術中的LED外延片的波長分布示意圖;
圖5為本申請一個實施方式提供的一種LED外延片的波長分布示意圖;
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