[發明專利]高速25G半導體激光器芯片的封裝結構及封裝方法有效
| 申請號： | 202011644241.1 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112701561B | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發明（設計）人： | 毛虎;宿志成;楊雷;牛飛飛;焦英豪 | 申請（專利權）人： | 深圳市利拓光電有限公司;武漢瑞思頓光電科技有限公司;勒威半導體技術（嘉興）有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024;H01S5/02216;H01S5/0235 |
| 代理公司： | 深圳市恒程創新知識產權代理有限公司 44542 | 代理人： | 劉冰 |
| 地址： | 518116 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高速 25 半導體激光器 芯片 封裝 結構 方法 | ||
1.一種高速25G半導體激光器芯片的封裝結構，其特征在于，所述高速25G半導體激光器芯片的封裝結構包括：封裝殼體及嵌合于所述封裝殼體內部的半導體激光器本體；
所述封裝殼體內部的上下兩面焊接有具有多個熱傳熱系數的兩個復合襯底，所述兩個復合襯底之間設有至少兩個垂直于所述復合襯底的過渡熱沉塊，相鄰兩個過渡熱沉塊之間設有一個半導體激光器本體，所述復合襯底由多層具有不同熱傳熱系數基板焊接而成，且呈熱傳熱系數梯度變化的方式焊接多個不同熱傳熱系數的基板，最內層基板的熱傳熱系數最大，最外層基板的熱傳熱系數最小；
所述過渡熱沉塊由兩個基礎熱沉和一個絕緣熱沉組成，其中，所述絕緣熱沉嵌合于所述兩個基礎熱沉之間，所述過渡熱沉塊的溫度不隨傳遞到它的熱量的大小變化而變化；所述相鄰兩個過渡熱沉塊與所述兩個復合襯底之間組成四周密封的密封封裝空腔，所述密封封裝空腔內填充有惰性氣體。
2.如權利要求1所述的高速25G半導體激光器芯片的封裝結構，其特征在于，所述半導體激光器本體由半導體激光器芯片，光耦合器及基板組成，其中，所述半導體激光器芯片固定在基板上，所述激光器芯片的一側與所述光耦合器連接。
3.如權利要求1所述的高速25G半導體激光器芯片的封裝結構，其特征在于，所述半導體激光器本體的邊模抑制比處于55db至80db之間。
4.一種高速25G半導體激光器芯片的封裝方法，其特征在于，所述方法應用于權利要求1至3任一項所述的高速25G半導體激光器芯片的封裝結構，所述高速25G半導體激光器芯片的封裝方法包括：
利用焊料將一個絕緣熱沉鍵合于兩個基礎熱沉之間，形成過渡熱沉塊；
利用焊料將至少兩個過渡熱沉塊垂直鍵合到具有多個熱傳熱系數的一個復合襯底上，形成含有半密閉封裝空腔的半封裝殼體；
將半導體激光器本體嵌合于所述半密閉封裝空腔中，并將具有多個熱傳熱系數的另一個復合襯底通過焊料垂直鍵合到所述過渡熱沉塊上，形成含有密閉封裝空腔的封裝殼體；
向所述封裝殼體的密閉封裝空腔內填充惰性氣體，并密封所述封裝殼體；
所述復合襯底由多層具有不同熱傳熱系數基板焊接而成，且呈熱傳熱系數梯度變化的方式焊接多個不同熱傳熱系數的基板，最內層基板的熱傳熱系數最大，最外層基板的熱傳熱系數最小，所述過渡熱沉塊的溫度不隨傳遞到它的熱量的大小變化而變化。
5.如權利要求4所述的高速25G半導體激光器芯片的封裝方法，其特征在于，所述焊料包括AuSn薄膜焊料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市利拓光電有限公司;武漢瑞思頓光電科技有限公司;勒威半導體技術（嘉興）有限公司，未經深圳市利拓光電有限公司;武漢瑞思頓光電科技有限公司;勒威半導體技術（嘉興）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011644241.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種血小板抗體檢測試劑盒、應用及檢測方法
- 下一篇：太陽能電池片焊接機
