[發明專利]顯示面板與其制作方法有效
| 申請號: | 202011643510.2 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112968030B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發明(設計)人: | 齊二龍;陳柏輔;劉鵬;安金鑫;夏志強 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 與其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
多個基板電極組,陣列排布于所述基板上,一個所述基板電極組包括一個正電極和一個負電極;
發光器件,一個所述發光器件位于一個所述基板電極組中的所述正電極和所述負電極之間的所述基板上,所述發光器件包括本體結構、第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極分別位于所述本體結構的兩側;以及
多個導電部,包括第一導電部和第二導電部,所述第一導電部位于所述正電極和所述第一電極之間的所述基板上,以電連接所述正電極和所述第一電極,所述第二導電部位于所述負電極和所述第二電極之間的所述基板上,以電連接所述負電極和所述第二電極,
所述顯示面板還包括:
支撐結構,位于所述基板上,所述正電極和/或所述負電極位于所述支撐結構的側壁上且與所述基板接觸。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述支撐結構的材料包括光刻膠。
3.如權利要求1或2所述的顯示面板,其特征在于,所述發光器件包括:
襯底;
N型半導體層,位于所述襯底的部分表面上;
有源層,位于所述N型半導體層的遠離所述襯底的部分表面上;
P型半導體層,位于所述有源層的遠離所述N型半導體層的表面上,所述襯底、所述N型半導體層、所述有源層以及所述P型半導體層形成預備結構;
絕緣層,位于所述預備結構的表面和側壁上,所述N型半導體層的部分表面和/或部分側壁未設置有所述絕緣層,所述P型半導體層的部分表面和/或部分側壁未設置有所述絕緣層,所述第一電極與所述N型半導體層的未設置有所述絕緣層的表面和/或側壁接觸,所述第二電極與所述P型半導體層的未設置有所述絕緣層的表面和/或側壁接觸。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述絕緣層未設置在所述N型半導體層的部分表面上,所述絕緣層未設置在所述P型半導體層的部分側壁上。
5.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一電極還位于所述絕緣層的表面上,所述第二電極還位于所述絕緣層的表面上。
6.如權利要求4或5所述的顯示面板,其特征在于,所述發光器件還包括:
電場分散層,位于所述絕緣層和所述P型半導體層之間,所述電場分散層用于均勻所述發光器件的電場分布,所述絕緣層還位于所述電場分散層的側壁上。
7.如權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述電場分散層的材料包括氧化銦錫。
8.如權利要求1或2或4或5或7中任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述導電部的材料包括納米銀膠。
9.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
形成基板;
在所述基板上形成多個陣列排布的基板電極組,一個所述基板電極組包括一個正電極和一個負電極;
形成發光器件,所述發光器件包括本體結構、第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極分別位于所述本體結構的兩側;
將所述發光器件轉移至一個所述基板電極組中的所述正電極和所述負電極之間的所述基板上;
在所述負電極和所述第二電極之間以及所述正電極和所述第一電極之間設置導電液體;
固化所述導電液體,形成第一導電部和第二導電部,其中,所述第一導電部電連接所述正電極和所述第一電極,所述第二導電部用于電連接所述負電極和所述第二電極,
在形成基板之后,在所述基板上形成多個陣列排布的基板電極組之前,所述方法還包括:在所述基板上形成支撐結構,
所述正電極和/或所述負電極位于所述支撐結構的側壁上且與所述基板接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





