[發(fā)明專(zhuān)利]一種導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具及生長(zhǎng)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011640518.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112795982A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 齊紅基;賽青林;張龍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C30B15/34 | 分類(lèi)號(hào): | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 劉芙蓉 |
| 地址: | 311400 浙江省杭*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 導(dǎo)模法 生長(zhǎng) 尺寸 氧化 晶體 模具 方法 | ||
1.一種導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,沿所述模具寬度方向上,所述模具的頂端為曲面,所述曲面為凹型曲面,所述曲面為等溫或近似等溫曲面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述模具由鏡像對(duì)稱的第一夾板和第二夾板組成,所述第一夾板和第二夾板通過(guò)固定部固定在一起,所述第一夾板和第二夾板之間具有狹縫。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述第一夾板和第二夾板通過(guò)兩個(gè)鉚釘固定在一起,位于所述第一夾板和第二夾板之間的鉚釘上繞有線圈或套有環(huán)形墊片,所述線圈或環(huán)形墊片用于控制所述狹縫的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述兩個(gè)鉚釘之間間距小于等于35mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述狹縫的距離為0.1-0.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述第一夾板的底端和第二夾板的底端均設(shè)置有可供原料流入狹縫的缺口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述模具為銥?zāi)>呋蚝灥暮辖鹉>摺?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長(zhǎng)大尺寸氧化鎵晶體的模具,其特征在于,所述模具頂端的兩外側(cè)、且沿寬度方向上均設(shè)置有臺(tái)階。
9.一種大尺寸氧化鎵晶體的生長(zhǎng)方法,其特征在于,包括步驟:
將權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的模具放置于裝有氧化鎵原料的坩堝內(nèi);
將坩堝進(jìn)行加熱,進(jìn)行晶體的生長(zhǎng),得到大尺寸氧化鎵晶體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的大尺寸氧化鎵晶體的生長(zhǎng)方法,其特征在于,所述氧化鎵晶體的尺寸在4英寸以上。
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