[發明專利]核殼量子點及其制備方法

在審

• 申請號: 202011636048.3
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114686207A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 葛劍超
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

1.一種核殼量子點的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供硅量子棒；

在所述硅量子棒表面生長無鎘半導體殼層，得到核殼量子點。

2.如權利要求1所述的核殼量子點的制備方法，其特征在于，所述硅量子棒的制備方法包括如下步驟：

提供金納米粒子；

將硅前驅體和所述金納米粒子加入到溫度≥350℃的溶劑中，在所述金納米粒子上方向性生長硅量子棒，得到Au-Si納米棒；

將所述Au-Si納米棒進行清洗處理，去除金納米粒子，得到所述硅量子點棒。

3.如權利要求2所述的核殼量子點的制備方法，其特征在于，將硅前驅體和所述金納米粒子加入到溫度≥350℃的溶劑中的步驟包括：先將所述金納米粒子分散在烷基胺中，得到金納米粒子分散液，然后將所述金納米粒子分散液和所述硅前驅體加入到所述溶劑中；和/或，

將所述Au-Si納米棒進行清洗處理的步驟包括：將所述Au-Si納米棒加入氯仿和王水，然后萃取處理。

4.如權利要求2所述的核殼量子點的制備方法，其特征在于，所述硅前驅體選自丙硅烷和丁硅烷中的至少一種；和/或，

所述溶劑選自三辛基膦和三辛胺中的至少一種；和/或，

所述溶劑的溫度為350-450℃。

5.如權利要求1-4任一項所述的核殼量子點的制備方法，其特征在于，在所述硅量子棒表面生長無鎘半導體殼層的步驟包括：

將烷基胺和所述硅量子棒溶于有機溶劑中，然后在加熱條件下注入無鎘半導體前驅體材料，得到包覆所述硅量子棒的所述無鎘半導體殼層。

6.如權利要求5所述的核殼量子點的制備方法，其特征在于，所述加熱條件的溫度為220-310℃；和/或，

所述烷基胺選自碳原子數為10-20的烷基胺；和/或，

所述烷基胺與所述硅量子棒中硅原子的摩爾比為8-12：1；和/或，

所述注入無鎘半導體前驅體材料的次數為至少一次，得到的所述無鎘半導體殼層包括至少一層無鎘的半導體材料；和/或，

所述無鎘半導體殼層的半導體材料選自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物和II-IV-VI族化合物中的一種或多種，且不含鎘元素。

7.一種核殼量子點，其特征在于，包括硅量子棒和包覆在所述硅量子棒表面的無鎘半導體殼層。

8.如權利要求7所述的核殼量子點，其特征在于，所述無鎘半導體殼層表面結合有烷基胺配體。

9.如權利要求8所述的核殼量子點，其特征在于，所述烷基胺配體選自碳原子數為10-20的烷基胺配體；和/或，

所述烷基胺配體與所述硅量子棒中硅原子的摩爾比為8-12：1。

10.如權利要求7-9任一項所述的核殼量子點，其特征在于，所述無鎘半導體殼層包括至少一層無鎘的半導體材料；和/或，

所述無鎘半導體殼層的半導體材料選自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物和II-IV-VI族化合物中的一種或多種，且不含鎘元素。