[發明專利]一種基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體有效
| 申請號: | 202011633833.3 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112821085B | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發明(設計)人: | 姜超;曹文博;黃小忠 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | H01Q17/00 | 分類號: | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司: | 長沙永星專利商標事務所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 周詠;林毓俊 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 afss 頻段 調諧 寬帶 吸波體 | ||
1.一種基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,從左至右,包括有第一層有源頻率選擇表面、第一層泡沫層、第二層有源頻率選擇表面、第二層泡沫層和金屬背板層;
其中:第一層有源頻率選擇表面由金屬單元陣列、介質層和二極管組成,金屬單元刻蝕在介質層上表面,金屬單元在介質層上呈周期性陣列分布;相鄰的金屬單元的縫隙中焊接有二極管;
第二層有源頻率選擇表面由金屬單元陣列、介質層和二極管組成,金屬單元刻蝕在介質層上表面,金屬單元在介質層上呈周期性陣列分布,形成金屬單元陣列;相鄰的金屬單元的縫隙中焊接有二極管;
第一層有源頻率選擇表面含有金屬單元和二極管的一面與第一層泡沫層接觸,第二層有源頻率選擇表面含有金屬單元和二極管的一面與第一層泡沫層接觸;
所述的第一層有源頻率選擇表面和第二層有源頻率選擇表面的金屬單元的形狀均為上下兩個方向相反的箭頭組成的單元,兩個相鄰單元箭頭部位之間存在有縫隙,在縫隙之間焊接二極管連接;第二層有源頻率選擇表面中金屬單元的尺寸是第一層有源頻率選擇表面中金屬單元的尺寸的兩倍。
2.根據權利要求1所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述的上下兩個方向相反的箭頭組成的單元其直線寬度大于斜線寬度,箭頭單元直線高度大于斜線高度,兩個箭頭之間通過箭頭單元的直線相連接。
3.根據權利要求2所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述的上下兩個方向相反的箭頭單元箭頭直線與斜線之間夾角15°≤α≤75°。
4.根據權利要求1所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述的介質層表面刻蝕好金屬單元陣列后,需要介質層上金屬單元陣列外側刻蝕出方形外加偏置線,框住金屬單元陣列,對整個陣列施加偏置電壓。
5.根據權利要求1所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述金屬單元陣列中焊接的二極管方向一致或者方向相反。
6.根據權利要求5所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述的二極管選用貼片型二極管。
7.根據權利要求1所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述的介質層為低介電常數高強度材料;所述的金屬單元采用導電材料制備而成;所述的泡沫層采用低密度低介電常數發泡材料制備而成。
8.根據權利要求7所述的基于AFSS的多頻段可調諧寬帶吸波體,其特征在于,所述的介質層為玻璃鋼、PI膜或者PI板中的一種,所述的金屬單元采用銅、鋁、碳中的一種,所述的泡沫層采用PMI、聚氨酯中的一種。
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