[發明專利]一種碳氈負載鈰摻雜α-FeOOH納米片陣列電極及其制備方法與應用有效
| 申請號: | 202011633186.6 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112811525B | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發明(設計)人: | 毛舜;劉瑩;楊玉霖 | 申請(專利權)人: | 同濟大學 |
| 主分類號: | C02F1/461 | 分類號: | C02F1/461;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人: | 楊元焱 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 負載 摻雜 feooh 納米 陣列 電極 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種碳氈負載鈰摻雜α-FeOOH納米片陣列電極的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
1)將鐵源與鈰源加入至超純水中,再超聲分散5-15 min配制得到含有鐵源與鈰源的水溶液;
其中,所述的鐵源包括硫酸亞鐵,所述的鈰源包括三氯化鈰,所述的水溶液中,鐵離子濃度為0.64-1.28 mM,鈰離子濃度為0.64-1.28 mM,
2)加入甘油與導電碳氈,并在100-150 °C下水熱反應20-28 h,待反應產物冷卻至室溫后,再分別用乙醇及超純水洗滌3-5次,并在60-80 °C下干燥10-15 h即得到所述的納米片陣列電極;
其中,所述的甘油與水溶液的體積比為3:(10-15),所得納米片陣列電極上,含有鐵與鈰的活性材料的負載量為1-3 mg,負載厚度為180-200 nm。
2.一種碳氈負載鈰摻雜α-FeOOH納米片陣列電極,其特征在于,其采用如權利要求1所述的方法制備而成。
3.一種如權利要求2所述的納米片陣列電極的應用,其特征在于,所述的碳氈負載鈰摻雜α-FeOOH納米片陣列電極作為陰極材料,用于電芬頓反應處理有機污染物,具體處理條件包括以下條件中的至少一個:
A,以BDD作為陽極,碳氈負載鈰摻雜α-FeOOH納米片陣列電極作為陰極,兩電極間距為0.5-1.5 cm;
B,碳氈負載鈰摻雜α-FeOOH納米片陣列電極在使用前,先置于35-40%硝酸溶液中浸泡8-12 h,再依次經過水、丙酮、乙醇、水超聲清洗15-25 min;
C,以0.02-0.10 M Na2SO4溶液作為電解質溶液;
D,廢水有機物濃度不大于1.1 mM;
E,反應電流為20-50 mA;
F,反應溫度為15-30 °C;
G,廢水處理pH為2-6;
H,以0.1-0.3 L min-1的流速進行高純氧曝氣處理。
4.根據權利要求3所述的一種納米片陣列電極的應用,其特征在于,所述的有機污染物包括羅丹明B、雙酚A、環丙沙星、對氯苯胺、氯霉素、苯甲酸。
5.根據權利要求3所述的一種納米片陣列電極的應用,其特征在于,所述的電芬頓反應后,將陰極材料進行水洗、干燥即可重新投入使用。
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