[發明專利]載流子傳輸薄膜的制備方法、發光二極管

在審

• 申請號: 202011630443.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695699A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 袁密
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 郝文婷

1.一種載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供載流子傳輸材料和溶劑，所述載流子傳輸材料包括二氧化鈦納米晶；

將所述載流子傳輸材料分散于所述溶劑中形成分散液；

在氫氣氛圍下，對所述分散液進行熱氫還原處理，得到載流子傳輸薄膜。

2.根據權利要求1所述載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱氫還原處理的氫氣壓為1.5MPa-2.0MPa。

3.根據權利要求1所述載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱氫還原處理的溫度為400℃-500℃，所述熱氫還原處理的時間為30min-60min。

4.根據權利要求1所述載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦納米晶的平均粒徑為7nm-11nm；和/或

所述分散液中，所述二氧化鈦納米晶的含量為10mg/mL-60mg/mL。

5.根據權利要求1-4任一項所述載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦納米晶的制備方法包括如下步驟：

提供鈦酸酯、反應抑制劑和醇類溶劑；

將所述鈦酸酯、所述反應抑制劑與所述醇類溶劑進行混合處理，所述鈦酸酯經水解反應，得到二氧化鈦納米晶。

6.根據權利要求5所述載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈦酸酯選自鈦酸四正丁酯、鈦酸四異丙酯中的至少一種；和/或

所述反應抑制劑選自醋酸、稀鹽酸、稀硫酸、稀硝酸、醇類、醚類、有機堿中的至少一種；和/或

所述醇類溶劑選自乙醇、異丙醇、乙二醇、丁醇中的至少一種。

7.根據權利要求1-4任一項所述載流子傳輸薄膜的制備方法，其特征在于，所述載流子傳輸薄膜的厚度為20nm-40nm；和/或

所述溶劑選自乙醇、異丙醇、丁醇中的至少一種。

8.一種發光二極管，其特征在于，包括電子傳輸層，所述電子傳輸層為權利要求1-7任一項所述載流子傳輸薄膜的制備方法制備得到的載流子傳輸薄膜。

9.根據權利要求8所述的發光二極管，其特征在于，還包括相對設置的陽極和陰極，以及層疊設置于所述陽極和所述陰極之間的空穴功能層和發光層，所述電子傳輸層設置在所述發光層與所述陰極之間。

10.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供陽極，在所述陽極表面制備空穴功能層；

在所述空穴功能層背離所述陽極的表面制備發光層；

提供二氧化鈦納米晶分散液，將所述分散液涂覆在所述發光層背離所述空穴功能層的表面，經熱氫還原處理，得到電子傳輸層；

在所述電子傳輸層背離所述發光層的表面制備陰極，得到發光二極管；

或

提供陰極和二氧化鈦納米晶分散液，將所述分散液涂覆在所述陰極的表面，經熱氫還原處理，得到電子傳輸層；

在所述電子傳輸層背離所述陰極的表面制備發光層；

在所述發光層背離所述電子傳輸層的表面制備空穴功能層；

在所述空穴功能層背離所述發光層的表面制備陽極，得到發光二極管。