[發(fā)明專利]一種高效率的集成電路封裝工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011628522.8 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112786457A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭石磊;鄭振軍;談紅英 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇和睿半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;H01L21/78;H01L23/10;H01L23/48;H01L23/544 |
| 代理公司: | 無錫智麥知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 王普慧 |
| 地址: | 226532 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高效率 集成電路 封裝 工藝 | ||
1.一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:所述封裝工藝如下:
步驟一:劃片:將晶片分離成單個的芯片;
步驟二:取片和承載:挑選出良品芯片,并放置于承載托盤中;
步驟三:粘片:將芯片粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域;
步驟四:打線:芯片上的打線點(diǎn)與封裝體引腳的內(nèi)部端點(diǎn)之間用細(xì)金線連接;
步驟五:封裝前檢查:打線好的芯片通過目檢的形式進(jìn)行驗收;
步驟六:驗收完畢后進(jìn)行封裝密封;
步驟七:引腳電鍍和切筋:在封裝體外部引腳的表面電鍍一層導(dǎo)電性金屬層,通過切筋工序?qū)⒁_與引腳之間的連筋切除;
步驟八:印字:將重要的信息印在封裝體的外殼上;
步驟九:最終測試:對芯片封裝體進(jìn)行最終測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:所述步驟一中,通過劃片鋸或劃線-剝離技術(shù)將晶片分離成單個的芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:所述步驟三中,通過銀漿粘貼材料或金-硅低熔點(diǎn)鍍金層形式將芯片粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:所述步驟五中,驗收的內(nèi)容包括芯片在封裝引腳架上的位置擺放是否準(zhǔn)確,金線連接點(diǎn)的位置是否準(zhǔn)確,有無污染物,芯片粘貼的質(zhì)量好壞以及金線連接點(diǎn)的質(zhì)量好壞。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:封裝密封后還需要對塑封體進(jìn)行外部打磨。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:所述外部打磨可將封裝體浸入到化學(xué)品池中然后再用清水沖洗,也可使用塑料打磨粒進(jìn)行打磨。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:所述最終測試包括環(huán)境測試、電性測試、老化性測試。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:封裝時芯片表面與弧線制高點(diǎn)的距離控制在100um內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率的集成電路封裝工藝,其特征在于:芯片使用前使用等離子清洗機(jī)清除芯片表面的雜質(zhì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





