[發明專利]一種中階梯光柵硅光芯片溫度傳感器有效
| 申請號： | 202011621174.1 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112665749B | 公開（公告）日： | 2023-04-11 |
| 發明（設計）人： | 鄭宇;黃穎 | 申請（專利權）人： | 武漢科宇智聯信息技術有限公司 |
| 主分類號： | G01K11/00 | 分類號： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 廉海濤 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區光*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 階梯 光柵 芯片 溫度傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種中階梯光柵硅光芯片溫度傳感器，其特征在于，包括：光源、輸入波導、羅蘭圓、曲面光柵、輸出波導及光電探測器；
所述羅蘭圓內部為硅材料的自由傳播區域；
所述曲面光柵的反射面由多個子曲面構成；所述羅蘭圓與所述曲面光柵的反射面的中心相切相交；
所述輸入波導及所述輸出波導設置在所述羅蘭圓上；
所述光源發出的光信號經所述輸入波導入射至所述曲面光柵的反射面，經所述曲面光柵反射、聚焦后從所述輸出波導輸出至所述光電探測器；自由傳播區域的材料是硅，硅具有較高的熱-光系數,溫度變化會引起硅折射率改變，進一步引起輸出波導輸出的光信號波長變化，探測輸出光信號的波長即可傳感硅光芯片的內部核心溫度。
2.根據權利要求1所述的中階梯光柵硅光芯片溫度傳感器，其特征在于，所述曲面光柵所在的光柵圓半徑為羅蘭圓半徑的二倍。
3.根據權利要求1所述的中階梯光柵硅光芯片溫度傳感器，其特征在于，所述輸出波導為單通道或多通道。
4.根據權利要求3所述的中階梯光柵硅光芯片溫度傳感器，其特征在于，所述輸出波導的通道數為1-20。
5.根據權利要求1所述的中階梯光柵硅光芯片溫度傳感器，其特征在于，所述子曲面的面積為曲面光柵的反射面的面積的1/20~1/10。
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