[發(fā)明專利]一種分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋結(jié)構(gòu)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011620528.0 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112796249A | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鳳艷;閔鵬飛;楊海露;葉周景;苗英豪;汪林兵 | 申請(專利權(quán))人: | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | E01F11/00 | 分類號(hào): | E01F11/00;E01C23/01;G01B11/16 |
| 代理公司: | 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237 | 代理人: | 張仲波;付忠林 |
| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分布式 光纖 應(yīng)變 傳感器 裝填 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:瀝青路面、封裝基底、分布式光纖應(yīng)變傳感器、封裝包裹層以及填埋灌縫膠;其中,
所述封裝基底上設(shè)置有與所述分布式光纖應(yīng)變傳感器形狀相適配的第一凹槽,所述分布式光纖應(yīng)變傳感器安裝在所述第一凹槽內(nèi);所述封裝包裹層覆蓋在所述封裝基底上,以將所述分布式光纖應(yīng)變傳感器包裹并固定在所述封裝基底上;所述封裝基底、分布式光纖應(yīng)變傳感器以及封裝包裹層形成封裝整體;
所述瀝青路面在需要埋設(shè)分布式光纖應(yīng)變傳感器的位置開設(shè)有第二凹槽,所述封裝整體置于所述第二凹槽中,所述填埋灌縫膠灌注在所述第二凹槽中,并覆蓋在所述封裝整體的上面,以將設(shè)置所述封裝整體后的所述第二凹槽填滿。
2.如權(quán)利要求1所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凹槽設(shè)置在所述封裝基底的上表面,封裝基底下表面為平直端面。
3.如權(quán)利要求1所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝包裹層在凝固前具有流動(dòng)性。
4.如權(quán)利要求1所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二凹槽與所述封裝整體的形狀相適配,所述第二凹槽底面平直光滑。
5.如權(quán)利要求1所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋結(jié)構(gòu),其特征在于,所述填埋灌縫膠在凝固前具有流動(dòng)性,凝固后強(qiáng)度大于預(yù)設(shè)強(qiáng)度要求。
6.一種分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋方法,其特征在于,包括:
在封裝基底上加工出與分布式光纖應(yīng)變傳感器形狀相適配的第一凹槽,將所述分布式光纖應(yīng)變傳感器安裝在所述第一凹槽內(nèi);
將封裝包裹層覆蓋在所述封裝基底和分布式光纖應(yīng)變傳感器上,以將所述分布式光纖應(yīng)變傳感器包裹并固定在所述封裝基底上,使得所述封裝基底、分布式光纖應(yīng)變傳感器以及封裝包裹層形成封裝整體;
在瀝青路面需要埋設(shè)分布式光纖應(yīng)變傳感器的位置開設(shè)與所述封裝整體的形狀相適配的第二凹槽,將所述封裝整體置于所述第二凹槽中;
向設(shè)置封裝整體后的第二凹槽中灌注填埋灌縫膠,使得所述填埋灌縫膠覆蓋在所述封裝整體的上面,以將設(shè)置所述封裝整體后的所述第二凹槽填滿。
7.如權(quán)利要求6所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋方法,其特征在于,在將所述分布式光纖應(yīng)變傳感器安裝在所述第一凹槽內(nèi)后,所述方法還包括:通過瞬干膠將所述分布式光纖應(yīng)變傳感器固定在所述第一凹槽內(nèi)。
8.如權(quán)利要求6所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋方法,其特征在于,所述第一凹槽設(shè)置在所述封裝基底的上表面,封裝基底下表面為平直端面。
9.如權(quán)利要求8所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋方法,其特征在于,所述第二凹槽的底面平直光滑,在將所述封裝整體置于所述第二凹槽內(nèi)后,所述封裝整體的下表面與所述第二凹槽的底面緊密貼合。
10.如權(quán)利要求6所述的分布式光纖應(yīng)變傳感器的封裝填埋方法,其特征在于,所述封裝包裹層和所述填埋灌縫膠在凝固前均具有流動(dòng)性。
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