[發明專利]一種基于超結構的多波段THz吸波器

有效

• 申請號: 202011620376.4
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112838377B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 馬櫟敏;劉禹煌
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 南京業騰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32321
• 代理人: 李靜

1.一種基于超結構的多波段THz吸波器，包括若干個順次排列的吸波單元，每個吸波單元包括從下到上依次貼合的導電反射層、介質層和微結構單元層，其特征在于，所述微結構單元層上設有一個鏤空的雪花狀結構，所述雪花狀結構包括一個正六邊形中心以及六個大小形狀完全相同的大分支，每個大分支的枝干末端分別與正六邊形中心的一個邊相連，每個大分支的枝干兩側對稱設有3組小分支，距離正六邊形中心由遠到近依次為A組小分支、B組小分支和C組小分支，同一側的3組小分支相互平行，相鄰兩組小分支之間距離相等，A組小分支長度＞B組小分支長度＞C組小分支長度；所述微結構單元層的材料選自金屬、石墨烯或ITO中的任意一種；A組、B組、C組小分支與大分支的主干的夾角為60°。

2.如權利要求1所述基于超結構的多波段THz吸波器，其特征在于，所述導電反射層和微結構單元層的厚度均為0.15μm。

3.如權利要求1所述基于超結構的多波段THz吸波器，其特征在于，所述導電反射層的材料為金屬或ITO中的一種。

4.如權利要求1所述基于超結構的多波段THz吸波器，其特征在于，所述介質層厚度為8μm。

5.如權利要求1至4任一項所述基于超結構的多波段THz吸波器，其特征在于，所述介質層為介電常數為2.88、損耗角正切0.0032的聚酰亞胺薄膜。