[發明專利]復合材料及其制備方法、發光二極管在審
| 申請號: | 202011616535.3 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN114695688A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 何斯納;吳龍佳;吳勁衡 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 張楊梅 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合材料 及其 制備 方法 發光二極管 | ||
本申請涉及顯示技術領域,提供了一種復合材料及其制備方法、發光二極管。本申請提供的復合材料包括:三聚氰胺樹脂和金屬氧化物納米顆粒,金屬氧化物納米顆粒連接三聚氰胺樹脂的氮原子。該復合材料中的金屬氧化物納米顆粒分散在三維網狀結構中,提高了金屬氧化物納米顆粒的分散性,有效抑制金屬氧化物納米顆粒在形成發光二極管的載流子功能層時發生團聚。
技術領域
本申請屬于顯示技術領域,尤其涉及一種復合材料及其制備方法,以及一種發光二極管。
背景技術
量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diode,QLED)的典型結構是“三明治”結構,主要由陽極、空穴功能層、量子點發光層、電子功能層和陰極組成,工作時,電子和空穴分別從陰極和陽極注入,然后在量子點發光層復合形成激子發光,空穴功能層和電子功能層的性能影響著器件的發光性能。
近年來,由于具有量子限域效應、尺寸效應和優越的熒光特性等優點,由ZnO、TiO2、SnO2、WO3、MoO3、NiO等金屬氧化物納米顆粒形成的載流子功能層吸引了眾多研究者的目光,并成為了本領域技術人員的研究熱點。然而,這些金屬氧化物納米顆粒在形成發光二極管的載流子功能層時容易發生團聚,導致器件效率的發光效率發生顯著衰減。為了解決該技術問題,人們嘗試采用一些有機配體表面改性金屬氧化物納米顆粒,以減少顆粒團聚,但是,這些配體容易受環境變化影響而脫落,導致載流子功能層的電子傳輸性能或空穴傳輸性能隨著時間遷移而變差。
發明內容
本申請的目的在于提供一種復合材料及其制備方法,旨在解決金屬氧化物納米顆粒在形成發光二極管的載流子功能層時容易發生團聚的問題。
進一步地,本申請還提供了一種發光二極管。
本申請采用的技術方案如下:
第一方面,本申請提供了一種復合材料,包括:三聚氰胺樹脂和金屬氧化物納米顆粒,所述金屬氧化物納米顆粒連接所述三聚氰胺樹脂的氮原子。
本申請所提供的復合材料,由三聚氰胺樹脂和金屬氧化物納米顆粒復合形成,三聚氰胺樹脂具有三維網狀結構,金屬氧化物納米顆粒連接三聚氰胺樹脂的氮原子,使得金屬氧化物納米顆??梢院芎玫姆稚⒃谌S網狀結構中,從而提高金屬氧化物納米顆粒的分散性,有效抑制金屬氧化物納米顆粒在形成發光二極管的載流子功能層時發生團聚。此外,三聚氰胺樹脂具有較好的紫外-可見光透過性和熱穩定性,將該復合材料應用于發光二極管的載流子功能層材料時,保證金屬氧化物納米顆粒的光電性能的不受影響,且使得形成的復合材料能夠在長期的紫外照射和加熱條件下穩定存在且不發生熒光衰減,有利于應用在發光二極管中。
第二方面,本申請提供了一種復合材料的制備方法,包括以下步驟:
提供金屬氧化物納米顆粒和三聚氰胺樹脂;
將所述金屬氧化物納米顆粒和所述三聚氰胺樹脂在酸性條件下、溶劑中進行混合處理。
本申請所提供的制備方法,通過將金屬氧化物納米顆粒和三聚氰胺樹脂在酸性條件下、溶劑中進行混合處理,實現了金屬氧化物納米顆粒和三聚氰胺樹脂的復合,具體地,三聚氰胺樹脂的氮原子在酸性條件下容易與氫離子結合而帶正電,從而與帶負電的金屬氧化物納米顆粒結合,并使得金屬氧化物納米顆粒可以很好地分散在三聚氰胺的三維網狀結構中,進而抑制金屬氧化物納米顆粒發生團聚。方法簡便,操作簡單,可實現溶液組合物的大規模制備。
第三方面,本申請提供了一種發光二極管,包括載流子功能層,形成所述載流子功能層的材料包括前述復合材料或上述制備方法制得的復合材料。
本申請所提供的發光二極管,形成其載流子功能層的材料為上述復合材料,該復合材料分散性好,可有效抑制金屬氧化物納米顆粒在形成發光二極管的載流子功能層時發生團聚,使得發光二極管具有優異且穩定的發光效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





