[發明專利]納米薄膜靜電疲勞測試方法在審
| 申請號： | 202011616285.3 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112763359A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 劉科海;楊秀華;張超;楊方友;陳益;王恩哥 | 申請（專利權）人： | 松山湖材料實驗室 |
| 主分類號： | G01N3/38 | 分類號： | G01N3/38;G01N3/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 523000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 薄膜 靜電 疲勞 測試 方法 | ||
1.一種納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，包括：
提供納米薄膜；
提供電極板；
提供位移傳感器；
提供直流電壓源；
提供絕緣支撐件，所述絕緣支撐件具有檢測通孔；
將所述絕緣支撐件支撐于所述納米薄膜和所述電極板之間，使所述電極板位于所述檢測通孔的下方，所述納米薄膜覆蓋于所述檢測通孔的上方且與所述電極板平行設置，將所述直流電壓源的正極與所述納米薄膜電連接，將所述直流電壓源的負極與所述電極板電連接；
啟動所述直流電壓源，通過所述位移傳感器測量所述納米薄膜向所述檢測通孔內凹陷的位移量。
2.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，在所述啟動所述直流電壓源，通過所述位移傳感器測量所述納米薄膜向所述檢測通孔內凹陷的位移量步驟中包括：
調節所述直流電壓源的電壓，測量不同電壓值下所述納米薄膜的位移量。
3.根據權利要求2所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述直流電壓源的電壓調節范圍為0-500V。
4.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述絕緣支撐件為筒狀結構。
5.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述納米薄膜與所述電極板的間隔距離為100-600μm。
6.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述位移傳感器為激光位移傳感器，所述位移傳感器位于所述納米薄膜的上方。
7.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述納米薄膜為金屬膜、合金膜或化合物膜。
8.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述納米薄膜的材料為銅、鋁、鉻、鉑、鈦以及其合金中一種。
9.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述納米薄膜為圓形。
10.根據權利要求1所述的納米薄膜靜電疲勞測試方法，其特征在于，所述納米薄膜的厚度為100-200nm。
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