[發(fā)明專(zhuān)利]用于對(duì)三維特征進(jìn)行成像的方法和系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011601367.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114689630A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘禎新;高海峰;林映紅;張瑞心;吳冰星
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: FEI公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N23/2202
• 分類(lèi)號(hào): G01N23/2202;G01N23/2251
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;周學(xué)斌

1.一種用于對(duì)樣品進(jìn)行成像的方法，其包括：

將第一基準(zhǔn)定位在第一樣品深度處的第一樣品表面上；

去除所述第一樣品表面的至少一部分以暴露第二樣品表面；

在所述第二樣品表面上形成第二基準(zhǔn)；

去除所述第二樣品表面的至少一部分以在第三樣品深度處暴露包括所關(guān)注區(qū)域（ROI）的第三樣品表面；

獲取包括所述第二基準(zhǔn)和在所述第三樣品深度處的所述ROI的第一樣品圖像；以及

基于所述第一基準(zhǔn)相對(duì)于所述第二基準(zhǔn)的第一位置、和在所述第一樣品圖像中在所述第三樣品深度處的所述ROI相對(duì)于所述第二基準(zhǔn)的第二位置，來(lái)確定在所述第三樣品深度處的所述ROI相對(duì)于所述第一基準(zhǔn)的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：獲取包括所述第一基準(zhǔn)和所述第二基準(zhǔn)的第二樣品圖像；以及基于所述第二樣品圖像來(lái)確定所述第一基準(zhǔn)相對(duì)于所述第二基準(zhǔn)的所述第一位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中用在第一焦深處的帶電粒子束獲取所述第一樣品圖像，并且用在更低的第二焦深處的所述帶電粒子束獲取所述第二樣品圖像。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包括：

用在所述第二焦深處的所述帶電粒子束在所述第一樣品深度與第二樣品深度之間的第四樣品深度處獲取第三樣品圖像，其中所述第三樣品圖像包括在所述第四樣品深度處的所述ROI以及所述第一基準(zhǔn)；

基于所述第三樣品圖像來(lái)確定在所述第四樣品深度處的所述ROI相對(duì)于所述第一基準(zhǔn)的位置；以及

通過(guò)基于在所述第三樣品深度處的所述ROI相對(duì)于所述第一基準(zhǔn)的位置、和在所述第四樣品深度處的所述ROI相對(duì)于所述第一基準(zhǔn)的位置將在所述第一樣品深度和所述第三樣品深度處的所述ROI對(duì)準(zhǔn)，從而根據(jù)所述第一樣品圖像和所述第三樣品圖像重構(gòu)所述ROI。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中用第一帶電粒子束去除所述第一樣品表面的所述至少一部分，用第二帶電粒子束獲取所述第一樣品圖像，并且所述方法進(jìn)一步包括基于所述第二帶電粒子束的焦距來(lái)確定所述第一樣品深度與所述第二樣品深度之間的差。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中用第一帶電粒子束去除所述第一樣品表面的所述至少一部分，用第二帶電粒子束獲取所述第一樣品圖像，并且所述方法進(jìn)一步包括在去除所述第一樣品表面的所述至少一部分之前，通過(guò)對(duì)所述第二帶電粒子束的多個(gè)焦深處的至少兩個(gè)基準(zhǔn)之間的距離進(jìn)行成像來(lái)確定所述第二樣品深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一樣品表面為所述樣品的頂部表面，所述第一基準(zhǔn)為所述頂部表面上的特征。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其進(jìn)一步包括通過(guò)用聚焦離子束沉積或蝕刻所述第一樣品表面來(lái)形成所述第一基準(zhǔn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中在去除所述第一樣品表面的所述至少一部分以暴露所述第二樣品表面時(shí)形成所述第二基準(zhǔn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第二基準(zhǔn)包括所述第一樣品表面與所述第二樣品表面之間的邊界的一部分。