[發明專利]制造太陽能電池片的方法和太陽能電池片

在審

• 申請號: 202011592701.0
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112599619A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 肖俊峰;李巖;石剛
• 申請（專利權）人: 成都曄凡科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 劉迎春;張寧瀟

1.一種制造太陽能電池片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

設置硅片，設置硅片的步驟包括：在硅片的底表面上設置凹凸結構；

在硅片的底表面上設置氧化硅層，以使得氧化硅層的底表面形成和硅片的底表面相一致的凹凸結構；

在氧化硅層的底表面上沉積非晶硅層；

加熱非晶硅層，以使得熔融的非晶硅層固化結晶而形成摻雜多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積非晶硅層的步驟包括：

將非晶硅層沉積至第一預定厚度，并在第一預定厚度處的凹凸結構處做預晶化處理以形成再結晶晶核；繼續沉積非晶硅層至第二預定厚度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片的底表面上設置凹凸結構的步驟通過如下方式中的一種實現：

在硅片的底表面上通過微機械方式刻劃所需的凹凸結構，并采用腐蝕溶液消除硅片的底表面上的機械刻劃的損傷；

采用模板化學腐蝕的方式在硅片的底表面形成凹凸結構；

采用激光燒蝕的方式在硅片的底表面形成凹凸結構，并采用腐蝕溶液消除硅片的底表面上的激光燒蝕形成的損傷。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片的底表面上設置氧化硅層的步驟包括：將氧化硅層的厚度設置為1nm-5nm，

并且，所述方法還包括在設置氧化硅層之后的如下步驟：在沉積非晶硅層之前，對氧化硅層做等離子體處理和/或自組裝單層處理。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括在沉積非晶硅層之前，對氧化硅層做等離子體處理和自組裝單層處理的步驟，該步驟包括如下步驟：

在氧化硅層的底表面通入自組裝單層前驅物處理進行等離子體處理，前驅物選自BDEAS、HCDS、APTES或OTS；

將氧化硅層的Si-OH鍵改型為Si-NH₂或Si-CH₃。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在沉積非晶硅層的步驟中：在將非晶硅層沉積至第一預定厚度時對非晶硅層做預晶化處理的步驟利用皮秒激光、飛秒激光或準分子激光實現。

7.根據權利要求2或6所述的方法，其特征在于，非晶硅層的第一預定厚度為5nm-50nm，非晶硅層的第二預定厚度為30nm-300nm。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對非晶硅層加熱的步驟通過激光熔融退火實現。

9.根據權利要求1-8中任意一項所述的方法制造的太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片包括：

硅片，所述硅片的底表面上設置有凹凸結構；

氧化硅層，所述氧化硅層設置在所述硅片的底表面上并和所述硅片的底表面形狀適配從而所述氧化硅層的底表面也具有凹凸結構；

摻雜多晶硅層，所述摻雜多晶硅層設置在所述氧化硅層的底表面上；

鈍化層，所述鈍化層設置在所述硅片的頂表面上；

正電極和背電極，所述正電極設置在所述鈍化層的頂側，所述背電極設置在所述摻雜多晶硅層的底側。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池片，其特征在于，所述摻雜多晶硅層的底表面和所述鈍化層的頂表面上均設置有減反膜。

11.根據權利要求9所述的太陽能電池片，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為1nm-5nm。