[發明專利]一種用于外延膜生長設備的基座水平調節裝置在審
| 申請號: | 202011589985.8 | 申請日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN112575315A | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 王會會;林保璋;金補哲;田才忠 | 申請(專利權)人: | 盛吉盛(寧波)半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/52;G01C9/00 |
| 代理公司: | 上海領洋專利代理事務所(普通合伙) 31292 | 代理人: | 俞晨波 |
| 地址: | 315100 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 外延 生長 設備 基座 水平 調節 裝置 | ||
本發明公開了一種用于外延膜生長設備的基座水平調節裝置,包括基座水平調節裝置,基座水平調節裝置由水平儀本體、空心金屬球、電機固定桿、水平調節螺絲一、水平調節螺絲二、頂緊螺絲一和頂緊螺絲二組成,水平儀本體中部開設有安裝口且外側開設有兩組螺紋導向槽,安裝口與兩組螺紋導向槽相連通,空心金屬球活動設置于安裝口內,空心金屬球的中部垂直安裝有對接槽口。本發明在于未改變基座水平儀大體結構的情況下,增加了頂緊螺絲一和空心圓球體,加裝頂緊螺絲一,可以防止水平調節螺絲的滑動位移,造成基座的不穩定性,增加一個空心圓球體,套裝在固定桿尾部,避免水平調節螺絲尾部與電機固定桿直接接觸而產生磨損。
技術領域
本發明涉及外延膜生長設備技術領域,具體為一種用于外延膜生長設備的基座水平調節裝置。
背景技術
外延生長技術發展于50年代末60年代初。當時,為了制造高頻大功率器件,需要減小集電極串聯電阻,又要求材料能耐高壓和大電流,因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層,這時外延設備便應運而生。針對現有外延設備的基座水平調節裝置現狀,是通過調整基座水平儀的兩個水平調節螺絲來調節基座水平,而基座是與電機固定桿同軸心固定連接在一起的,因此通過調節電機固定桿的位置來間接調整基座的水平位置。
現有的外延膜生長設備的基座水平調節裝置在使用的過程中存在以下的問題:(1)由于在調節外延基座的水平位置時,兩個調節螺絲沒有頂緊螺絲一來固定,在基座旋轉一段時間后,會有少許位移問題,這樣會導致基座左右、前后位置偏移,晶圓的膜厚以及電阻率都會發生變化,進而降低了產品良率;(2)此外,在鎖緊兩個調節螺絲時,螺絲的尾部是與電機固定桿尾部頂緊在一起的,由于金屬之間的磨損會導致調節螺絲與固定桿的間隙擴大,從而降低了基座水平調整的穩定性,間接影響晶圓膜厚、電阻率,降低產品良率。為此,需要設計相應的技術方案解決存在的技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于外延膜生長設備的基座水平調節裝置,解決了由于在調節外延基座的水平位置時,兩個調節螺絲沒有頂緊螺絲一來固定,在基座旋轉一段時間后,會有少許位移問題,這樣會導致基座左右、前后位置偏移,晶圓的膜厚以及電阻率都會發生變化,進而降低了產品良率,這一技術問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種用于外延膜生長設備的基座水平調節裝置,包括基座水平調節裝置,所述基座水平調節裝置由水平儀本體、空心金屬球、電機固定桿、水平調節螺絲一、水平調節螺絲二、頂緊螺絲一和頂緊螺絲二組成,所述水平儀本體中部開設有安裝口且外側開設有兩組螺紋導向槽,所述安裝口與兩組螺紋導向槽相連通,所述空心金屬球活動設置于安裝口內,所述空心金屬球的中部垂直安裝有對接槽口,所述電機固定桿的尾部固定于對接槽口內,所述水平調節螺絲一和水平調節螺絲二分別螺紋穿插于螺紋導向槽內且內端與空心金屬球相接觸,所述頂緊螺絲一分設有兩組且螺紋固定于水平調節螺絲一、水平調節螺絲二上,所述頂緊螺絲二螺紋固定于頂緊螺絲一的外側。
作為本發明的一種優選實施方式,所述水平儀本體呈十字狀結構且形成有兩組短板和兩組長板,兩組所述長板呈90度設置。
作為本發明的一種優選實施方式,兩組所述螺紋導向槽分別開設于兩組長板內,所述螺紋導向槽的深度小于水平調節螺絲一、水平調節螺絲二的長度。
作為本發明的一種優選實施方式,所述空心金屬球的底部呈實體球面結構且上表面對接槽口的開口處呈水平狀設置。
作為本發明的一種優選實施方式,所述安裝口的內壁呈球面結構且與空心金屬球的表面相吻合。
作為本發明的一種優選實施方式,所述對接槽口的內部呈弧面結構且規格與電機固定桿的尾部規格相同。
作為本發明的一種優選實施方式,所述頂緊螺絲一和頂緊螺絲二均呈六面體螺絲帽結構且內表面采用磁性材料。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





