[發(fā)明專利]一種電平轉(zhuǎn)換電路及終端設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011588293.1
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112636741B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅永建
• 申請（專利權(quán)）人: 成都極米科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 杜楊

本申請?zhí)岢鲆环N電平轉(zhuǎn)換電路及終端設(shè)備中，電平轉(zhuǎn)換電路包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管，第一開關(guān)管的第一極和第二極均連接于第一驅(qū)動電源，第二開關(guān)管的第一極和第二極均連接于第二驅(qū)動電源，第一開關(guān)管的第三極連接于第二開關(guān)管的第三極。第一開關(guān)管和第二開關(guān)管具有寄生二極管，寄生二極管的負(fù)極連接于開關(guān)管的第三極，寄生二極管的正極連接于開關(guān)管的第二極。當(dāng)?shù)谝或?qū)動電源掉電時，第一開關(guān)管處于截斷狀態(tài)，第一開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管用于防止第二驅(qū)動電源對第一驅(qū)動電源進(jìn)行倒灌；當(dāng)?shù)诙?qū)動電源掉電時，第二開關(guān)管處于截斷狀態(tài)，第二開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管用于防止第一驅(qū)動電源對第二驅(qū)動電源進(jìn)行倒灌。從而克服倒灌漏電問題，減少了安全隱患。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電路領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電平轉(zhuǎn)換電路及終端設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品功能越加豐富，單個系統(tǒng)往往會掛載多個功能模塊，而各個模塊的工作電壓卻不完全一樣。所以，需要將不同的電平信號連接相互通信，就涉及到電平轉(zhuǎn)化單元。

現(xiàn)有技術(shù)中，采用單一CMOS芯片實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換電路，但由于CMOS芯片生產(chǎn)工藝問題，其內(nèi)部自身形成寄生二極管特性。在某些場景下，會導(dǎo)致漏電，給系統(tǒng)穩(wěn)定性帶來隱患。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的在于提供一種電平轉(zhuǎn)換電路及終端設(shè)備，以至少部分改善上述問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本申請實施例采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本申請實施例提供一種電平轉(zhuǎn)換電路，所述電平轉(zhuǎn)換電路包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管，所述第一開關(guān)管的第一極和第二極均連接于第一驅(qū)動電源，所述第二開關(guān)管的第一極和第二極均連接于第二驅(qū)動電源，所述第一開關(guān)管的第三極連接于所述第二開關(guān)管的第三極；

其中，所述第一開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管的負(fù)極連接于所述第一開關(guān)管的第三極，所述第一開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管的正極連接于所述第一開關(guān)管的第二極，所述第二開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管的負(fù)極連接于所述第二開關(guān)管的第三極，所述第二開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管的正極連接于所述第二開關(guān)管的第二極；

第一電平網(wǎng)絡(luò)連接于所述第一驅(qū)動電源與所述第一開關(guān)管的第二極之間；

第二電平網(wǎng)絡(luò)連接于所述第二驅(qū)動電源與所述第二開關(guān)管的第二極之間；

當(dāng)所述第一驅(qū)動電源掉電時，所述第一開關(guān)管處于截斷狀態(tài)，所述第一開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管用于防止所述第二驅(qū)動電源對所述第一驅(qū)動電源進(jìn)行倒灌；

當(dāng)所述第二驅(qū)動電源掉電時，所述第二開關(guān)管處于截斷狀態(tài)，所述第二開關(guān)管內(nèi)的寄生二極管用于防止所述第一驅(qū)動電源對所述第二驅(qū)動電源進(jìn)行倒灌。

可選地，所述第一開關(guān)管用于當(dāng)所述第一電平網(wǎng)絡(luò)拉低時，所述第一開關(guān)管的第一極與第二極之間的壓差大于閾值，所述第一開關(guān)管切換為導(dǎo)通狀態(tài)，對所述第二開關(guān)管的第三極進(jìn)行拉低，所述第二開關(guān)管中的寄生二極管導(dǎo)通，從而對所述第二電平網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行拉低；

所述第二開關(guān)管用于當(dāng)所述第二電平網(wǎng)絡(luò)拉低時，所述第二開關(guān)管的第一極與第二極之間的壓差大于閾值，所述第二開關(guān)管切換為導(dǎo)通狀態(tài)，對所述第一開關(guān)管的第三極進(jìn)行拉低，所述第一開關(guān)管中的寄生二極管導(dǎo)通，從而對所述第一電平網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行拉低。

可選地，所述第一開關(guān)管包括第一NMOS管，所述第二開關(guān)管包括第二NMOS管；

所述第一NMOS管的柵極作為所述第一開關(guān)管的第一極，所述第一NMOS管的源極作為所述第一開關(guān)管的第二極，所述第一NMOS管的漏極作為所述第一開關(guān)管的第三極；

所述第二NMOS管的柵極作為所述第二開關(guān)管的第一極，所述第二NMOS管的源極作為所述第二開關(guān)管的第二極，所述第二NMOS管的漏極作為所述第二開關(guān)管的第三極。

可選地，所述第一開關(guān)管包括第一三極管和第一寄生二極管，所述第二開關(guān)管包括第二三極管和第二寄生二極管；