[發(fā)明專利]一種超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011587837.2 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN112723425B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 江偉;曹靜靜;周天鵬;徐云龍;周東山;齊運彪;孫平;張全興 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01G11/24 | 分類號： | H01G11/24;C01G53/00;B82Y40/00;H01G11/30 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人： | 徐芝強;肖明芳 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超薄 納米 結構 滑石 超級 電容器 電極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）將氯化鈷水溶液和氯化鎳水溶液混合，得到混合溶液；
（2）攪拌狀態(tài)下，滴加形貌調節(jié)劑氨基酸水溶液，攪拌反應1~2h；
（3）向步驟（2）反應體系中，緩慢滴加沉淀劑NH3·H2O水溶液，攪拌反應3~5h；
（4）將步驟（3）反應體系于80~100℃油浴中，恒溫回流攪拌10~15h；
（5）將步驟（4）反應所得沉淀物過濾，用去離子水和乙醇交替清洗，真空過濾后即得；
步驟（2）中，所述氨基酸水溶液中，氨基酸為L-天冬酰胺。
2.根據(jù)權利要求1所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述氯化鈷水溶液的濃度范圍為0.1mol/L～0.5mol/L；所述氯化鎳水溶液的濃度范圍為0.1 mol/L～0.5mol/L。
3.根據(jù)權利要求2所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述混合溶液中，氯化鈷與氯化鎳的摩爾比為（1~2）:（2~1）。
4.根據(jù)權利要求1所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述氨基酸水溶液的濃度為0.02~0.05 mol/L。
5.根據(jù)權利要求4所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述氨基酸水溶液的滴加量，按照氨基酸與步驟（1）中鈷離子和鎳離子總量摩爾比1:2～1:10添加。
6.根據(jù)權利要求1所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述NH3·H2O水溶液的濃度為2~4wt.%。
7.根據(jù)權利要求6所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述NH3·H2O水溶液的添加量與步驟（2）反應體系體積比為1：（5~8）。
8.根據(jù)權利要求7所述的超薄納米花結構水滑石超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述NH3·H2O水溶液在2~3h內緩慢滴加完畢。
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