[發明專利]一種集成電路行業廢水回用零排放工藝及系統

在審

• 申請號: 202011584683.1
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112592004A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 夏志先;張金山;趙九娟
• 申請（專利權）人: 上海豐信環?？萍加邢薰?/a>
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14;C02F101/30;C02F101/20
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司 31253
• 代理人: 杜蔚瓊

1.一種集成電路行業廢水回用零排放工藝，其特征在于：

包括四段膜濃縮工序；

其中，所述四段膜濃縮，對待處理廢水進行四次連續的、高低壓結合的反滲透處理；

所述低壓反滲透處理指低壓反滲透膜的壓力不高于15kg；

所述低壓反滲透處理指高壓反滲透膜的壓力不低于為30kg。

2.如權利要求1所述的一種集成電路行業廢水回用零排放工藝，其特征在于：

所述待處理廢水還經預處理工序；

所述預處理工序包括待處理廢水依次經有機生物膜一體化處理和/或氧化吸附和/或二級物化沉淀、AO前處理工序；

其中，所述氧化吸附，對待處理廢水進行氧化和吸附；

所述二級物化沉淀，對待處理廢水進行兩次不同處理劑的沉淀；

所述AO前處理，對待處理廢水進行進入反滲透系統前的預處理。

3.如權利要求1所述的一種集成電路行業廢水回用零排放工藝，其特征在于：

還包括濃液蒸發處理；

其中，所述濃液蒸發處理，對四段膜濃縮后產生的濃液進行濃縮或結晶。

4.一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

廢水依次經有機生物膜一體化反應器和/或氧化吸附設備和/或二級物化沉淀設備、AO前處理設備、四段膜濃縮設備、濃液蒸發設備進行處理；

所述四段膜濃縮設備，包括連續的、依次設置的四段反滲透膜組成；

其中，包含至少一段低壓反滲透膜，以及至少一段高壓反滲透膜。

5.如權利要求4所述的一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

所述低壓反滲透膜的壓力設計為10-15kg，濃水出水比例為30-50％；

所述高壓反滲透膜的壓力設計為30-50kg，濃水出水比例為40-60％。

6.如權利要求4所述的一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

所述四段反滲透膜為依次設置的第一低壓反滲透膜、第二低壓反滲透膜、第一高壓反滲透膜、第二高壓反滲透膜。

7.如權利要求4所述的一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

每段所述反滲透膜均設有旁路；

所述旁路使流經的待處理液體，不進入當前反滲透膜，直接進入后一段反滲透膜或設備。

8.如權利要求4所述的一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

所述氧化吸附設備，進行氧化工序和吸附工序；

所述氧化工序，對流經的待處理液體進行氧化處理，使其小分子化；

所述吸附工序，對流經的待處理液體進行吸附處理，使小分子化的物質被吸附；

所述破絡工序，在待處理液體中添加破絡劑后，沉淀1-4小時；

所述重金屬捕捉工序，在待處理液體中添加重金屬捕捉劑后，沉淀1-4小時；

所述濃液蒸發設備，對四段膜濃縮后產生的濃液進行不低于5倍的濃縮或結晶。

9.如權利要求4所述的一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

還包括二凈化設備；

所述二凈化設備，采用反滲透膜，對四段膜濃縮后產生的凈水進行二次凈化。

10.如權利要求4所述的一種集成電路行業廢水回用零排放系統，其特征在于：

針對COD指標不大于100mg/L，SS指標不大于50mg/L的待處理廢水可省略有機生物膜一體化反應器/氧化吸附設備/二級物化沉淀設備，以及AO前處理設備。