[發(fā)明專利]氣敏傳感器的制備方法及氣敏傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011581380.4 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112763549B | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧紅亮;楊佳赫;袁凱平;朱立遠 | 申請（專利權(quán)）人： | 光華臨港工程應用技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種氣敏傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一α-Fe2O3納米線；
在所述α-Fe2O3納米線的表面沉積ZnO籽晶層，形成α-Fe2O3/ZnO核殼納米線；
采用電子束光刻和物理氣相沉積方法對所述α-Fe2O3/ZnO納米線進行電極沉積，形成氣敏傳感器前驅(qū)體，電極沉積厚度為金屬Cr層10nm，金屬Au層70nm，經(jīng)丙酮剝離后即得到單根α-Fe2O3/ZnO核殼納米線；
對所述氣敏傳感器前驅(qū)體中α-Fe2O3/ZnO核殼納米線進行枝化，形成基于單根α-Fe2O3納米線表面枝化ZnO納米線結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器，所述枝化方法采用水熱法，水熱生長的前驅(qū)體為6.25 mmol/L的硝酸鋅和六亞甲基四胺HMT等摩爾配比的混合溶液，生長溫度為80 ℃，生長時間為5 h。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的方法，其特征在于，所述α-Fe2O3納米線采用在馬弗爐中煅燒泡沫鐵的方法制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的方法，其特征在于，所述沉積ZnO籽晶層采用原子層沉積的方法。
4.一種氣敏傳感器，其特征在于，采用基于單根α-Fe2O3納米線表面枝化ZnO納米線結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的氣敏傳感器，其特征在于，所述單根α-Fe2O3納米線表面枝化ZnO納米線長度為3-4μm，直徑為250nm。
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