[發(fā)明專利]倒裝芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011578844.6
• 申請(qǐng)日: 2020-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112687647A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 頎中科技（蘇州）有限公司;合肥奕斯偉封測(cè)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60;G03F7/16
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 胡彭年

1.一種倒裝芯片結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置在基板上的金屬襯墊及與所述金屬襯墊相接觸的金屬種子層，其特征在于：所述倒裝芯片結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述金屬種子層上的凸塊，所述凸塊沿背離所述金屬種子層的方向呈逐漸增大設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凸塊具有垂直于所述基板表面的倒梯形截面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凸塊的側(cè)壁面相對(duì)所述基板所在平面的夾角設(shè)置為60-80度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凸塊包括依次層疊設(shè)置在所述金屬種子層上的至少兩個(gè)金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的倒裝芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凸塊包括依次層疊設(shè)置在所述金屬種子層上的銅質(zhì)金屬層、金質(zhì)金屬層及鎳質(zhì)金屬層。

6.一種倒裝芯片結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：

提供基板，所述基板上設(shè)置有金屬襯墊及鈍化層，所述鈍化層開(kāi)設(shè)有窗口，以使所述金屬襯墊的部分表面暴露于窗口內(nèi)；

在所述基板表面制備金屬種子層；

在金屬種子層表面制備光阻層；

對(duì)所述光阻層開(kāi)設(shè)凹槽，以使金屬種子層的既定區(qū)域向外暴露，且所述凹槽沿背離所述金屬種子層的方向呈逐漸增大設(shè)置；

在所述凹槽內(nèi)電鍍制得凸塊。

7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述凹槽設(shè)置呈喇叭口狀。

8.如權(quán)利要求6或7所述的制備方法，其特征在于：所述凹槽具有傾斜的內(nèi)側(cè)面，該內(nèi)側(cè)面相對(duì)基板表面的夾角設(shè)置為60-80度。

9.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述凸塊的制備過(guò)程具體包括對(duì)所述凹槽內(nèi)部進(jìn)行清洗；再于所述凹槽內(nèi)依次制備銅質(zhì)金屬層、金質(zhì)金屬層及鎳質(zhì)金屬層，形成凸塊。

10.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：在完成所述凸塊的制備后，依次去除所述光阻層以及所述既定區(qū)域周圍的金屬種子層。