[發明專利]具有屏蔽功能的芯片封裝結構及其封裝方法

在審

• 申請號: 202011576405.1
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112687549A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 崔成強;楊斌;羅紹根
• 申請（專利權）人: 廣東佛智芯微電子技術研究有限公司;廣東芯華微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/552;H01L21/60
• 代理公司: 廣州鼎賢知識產權代理有限公司 44502
• 代理人: 劉莉梅

1.一種具有屏蔽功能的芯片封裝方法，其特征在于，包括：

提供玻璃材質的第二襯底和貼于所述第二襯底一側的介電層，在所述介電層遠離所述第二襯底的一側成型嵌入至所述介電層內并于所述介電層的一表面平齊的第一重布線層，于所述第一重布線層與所述介電層平齊的表面成型若干凹槽，制得第一子基底；

提供玻璃材質的第三襯底，在所述第三襯底上制作金屬屏蔽層以及制作若干嵌入至所述第三襯底和所述金屬屏蔽層內的導電柱，并使所述導電柱具有凸出于所述金屬屏蔽層的凸臺以及使所述凸臺與所述凹槽的位置一一對應，制得第二子基底；

將所述凸臺對準并嵌入至所述凹槽內，并使所述第一子基底和所述第二子基底貼合連接，制得芯片封裝用基底，至少所述導電柱和所述第一重布線層組成所述芯片封裝用基底的線路；

提供若干芯片組，將所述芯片組倒裝于所述線路外露的一側并與所述線路電連接，對所述芯片組進行塑封并于所述線路的另一側將所述芯片組電性引出。

2.根據權利要求1所述的具有屏蔽功能的芯片封裝方法，其特征在于，所述第一子基底具體采用以下步驟制得：

S10a、提供玻璃材質的且一表面帶有若干凸點的第一襯底，在所述第一襯底上制作銅材質的第一種子層；

S10b、在所述第一種子層上制作第一感光干膜，并開設至少使各凸點外露的圖形化窗口；

S10c、在所述圖形化窗口內制作第一重布線層；

S10d、去除殘留的所述第一感光干膜；

S10e、蝕刻掉外露于所述第一重布線層的所述第一種子層；

S10f、在所述第一重布線層上壓介電材料，形成介電層；

S10g、提供玻璃材質的第二襯底，將所述介電層貼于所述第二襯底上；

S10h、移除所述第一襯底，在所述第一重布線層上形成凹槽。

3.根據權利要求2所述的具有屏蔽功能的芯片封裝方法，其特征在于，所述凸點為半球形結構或者錐形結構，所述凹槽為與所述凸臺相配合的半球面結構或者錐形結構。

4.根據權利要求1所述的具有屏蔽功能的芯片封裝方法，其特征在于，所述第二子基底具體采用以下步驟制得：

S20a、提供玻璃材質的第三襯底，在所述第三襯底的一側制作金屬屏蔽層；

S20b、在所述第三襯底及所述金屬屏蔽層上開設TGV通孔；

S20c、在所述TGV通孔內制作導電柱，并使所述導電柱的一端與所述第三襯底遠離所述金屬屏蔽層的一面平齊，另一端凸出于所述金屬屏蔽層形成所述凸臺。

5.根據權利要求1所述的具有屏蔽功能的芯片封裝方法，其特征在于，所述芯片封裝用基底具體采用以下步驟制得：

S30a、將第一子基底和/或第二子基底沾上納米金屬粉末，使所述第二子基底上的凸臺對準所述第一子基底上的凹槽插入，通過熱壓使所述納米金屬粉末熔融填充于所述凸臺與所述凹槽之間形成金屬連接層，以使所述第一子基底和所述第二子基底貼合連接；

或者，對所述第一子基底和第二子基底進行等離子體清洗，將所述凸臺對準并嵌入至所述凹槽內，再通過靜電吸附使所述第一子基底和所述第二子基底貼合連接；

S30b、在所述第三襯底上制作與所述導電柱電連接的第二種子層和位于所述第二種子層上的第二重布線層，制得芯片封裝用基底，至少所述導電柱、所述第一重布線層、第二種子層和所述第二重布線層組成所述線路。

6.根據權利要求5所述的具有屏蔽功能的芯片封裝方法，其特征在于，芯片封裝包括以下具體步驟：

S40a、提供若干芯片組，將所述芯片組倒裝于所述第二重布線層上；

S40b、對所述芯片組進行塑封，形成塑封層；

S40c、移除所述第二襯底，對所述介電層進行開孔處理，使所述第一重布線層的焊盤區外露；

S40d、提供若干金屬凸塊，將所述金屬凸塊植入所述焊盤區與所述第一重布線層電連接。