[發明專利]一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置在審
| 申請號: | 202011572890.5 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN112466792A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 徐宏;汪洋;郭優優;童曉燕;佘貽俊;張學偉;汪宗華 | 申請(專利權)人: | 銅陵富仕三佳機器有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司: | 銅陵市天成專利事務所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 范智強 |
| 地址: | 244000 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 map 陣列 qfn 塑封 翹曲校 平裝 | ||
1.一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是包括底座組件(10)、容置組件(20)、壓持組件(30)和冷卻組件(40),所述底座組件包括底座(11),所述底座上固接有螺柱(12)、刻度導柱(13)和彈簧導柱(14),所述底座設有用于放置襯塊的容置空間;所述容置組件包括襯塊(21)和墊塊,所述襯塊設有用于放置墊塊的容置空間;所述壓持組件包括壓板(31)和連接板(32),所述壓板(31)和連接板(32)分別設有通孔,所述通孔分別與螺柱、刻度導柱相適配,所述壓板和連接板之間設有墊圈(33)和鎖緊螺母(36),所述連接板(32)頂部固接有彈簧導柱;所述冷卻組件包括氣吹安裝塊(41),所述氣吹安裝塊(41)上固接有氣吹連接塊(42),所述氣吹連接塊(42)固接有氣吹塊(43)。
2.根據權利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述襯塊包括平板底面結構、上弧底面結構或下弧底面結構。
3.根據權利要求2所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述襯塊的容置空間底部設有規則排列的銷釘孔。
4.根據權利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述壓持組件有若干個,分別配合有容置組件。
5.根據權利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述彈簧導柱配有彈簧。
6.根據權利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述氣吹塊內部設有氣道,所述氣吹塊一端固接有快換氣接頭(44)。
7.根據權利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述氣吹連接塊設有腰型孔。
8.根據權利要求1至7中任意一項所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述襯塊側面設有上下兩層通風口(202),所述氣吹塊設有吹風口(401),所述通風口(202)與氣吹塊的吹風口(401)相適配。
9.根據權利要求8所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是鎖緊螺母通過高精度螺紋旋壓施加壓持力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





