[發明專利]層疊陶瓷電容器

有效

• 申請號: 202011572679.3
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN113053662B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 黑須勇太;齊藤雄太;若島誠寬;福永大樹;筒井悠
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;H01G4/005
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

1.一種層疊陶瓷電容器，具備：

層疊體，包含在層疊方向上層疊的電介質陶瓷層以及內部電極層；和

外部電極，與所述內部電極層連接，

在所述層疊陶瓷電容器中，

所述層疊體具有：第1主面以及第2主面，在所述層疊方向上相對；第1側面以及第2側面，在與所述層疊方向正交的寬度方向上相對；和第1端面以及第2端面，在與所述層疊方向以及所述寬度方向正交的長度方向上相對，

所述內部電極層包含：第1內部電極層，引出到所述第1端面；和第2內部電極層，引出到所述第2端面，使得隔著所述電介質陶瓷層而與所述第1內部電極層對置，

所述外部電極包含：第1外部電極，配置在所述第1端面上，且與所述第1內部電極層連接；和第2外部電極，配置在所述第2端面上，且與所述第2內部電極層連接，

所述電介質陶瓷層包含第1電介質陶瓷層和第2電介質陶瓷層，

所述第1電介質陶瓷層配置在所述第1內部電極層與所述第2內部電極層之間，

所述第2電介質陶瓷層配置為包含隔著所述內部電極層對置的所述第1電介質陶瓷層間的未配置所述內部電極層的區域，且其一部分與所述第1電介質陶瓷層在所述層疊方向上重疊，

所述層疊體具有：內層部，所述第1內部電極層以及所述第2內部電極層隔著所述電介質陶瓷層交替地層疊；外層部，配置為在所述層疊方向上夾著所述內層部，且包含陶瓷材料；和第3電介質陶瓷層，配置為在所述寬度方向上夾著所述內層部以及所述外層部，且包含電介質陶瓷材料，

在包含所述長度方向以及所述寬度方向的面中，由所述第2電介質陶瓷層、所述第1內部電極層或所述第2內部電極層、和所述第3電介質陶瓷層形成界面的交點，

所述第2電介質陶瓷層以及所述第3電介質陶瓷層在所述交點的附近包含交點附近區域，

所述交點附近區域中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑、所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑、以及所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑中的任一平均粒徑都小。

2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述交點附近區域中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑、所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑、以及所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑中的任一平均粒徑都小5％以上。

3.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑與所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑之差為5％以內，

所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑以及所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑中的任一平均粒徑都大，

所述交點附近區域中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑以及所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑中的任一平均粒徑都小。

4.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑與所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑之差為5％以內，

所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑以及所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑中的任一平均粒徑都小，

所述交點附近區域中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑小。

5.根據權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑與所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑之差為5％以內，

所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第1電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑以及所述第3電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑中的任一平均粒徑都小，

所述交點附近區域中包含的電介質粒子的平均粒徑比所述第2電介質陶瓷層中包含的電介質粒子的平均粒徑小。