[發明專利]一種金錫合金熱沉薄膜及其制備方法、熱沉基板和LED器件在審
| 申請號： | 202011569372.8 | 申請日： | 2020-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN112779501A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 何苗;楊丙文;王潤;王成民;溫坤華 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/18 | 分類號： | C23C14/18;C23C14/16;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/58;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 賈小慧 |
| 地址： | 510060 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 合金 薄膜 及其 制備 方法 熱沉基板 led 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種金錫合金熱沉薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
采用物理氣相沉積法將金層和錫層依次交錯鍍膜于陶瓷基板上的過渡金屬層上后，通過共晶熱處理制得金錫合金熱沉薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鍍膜為磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜和/或電阻蒸發鍍膜。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述共晶熱處理的溫度為260℃-320℃，時間為3min。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金錫合金熱沉薄膜的總厚度為0.3μm～2μm。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金錫合金熱沉薄膜的總層數為奇數；
所述金錫合金熱沉薄膜的最上層和最下層為金層。
6.權利要求1至5任意一項所述的制備方法制得的金錫合金熱沉薄膜。
7.一種熱沉基板，其特征在于，包括：從下至上依次設置的陶瓷基板、過渡金屬層和權利要求6所述的金錫合金熱沉薄膜。
8.根據權利要求7所述的熱沉基板，其特征在于，所述過渡金屬層厚度為10mm～100nm。
9.根據權利要求7所述的熱沉基板，其特征在于，所述過渡金屬層通過物理氣相沉積的方法鍍膜于所述陶瓷基板的表面。
10.一種LED器件，其特征在于，包括權利要求7所述的熱沉基板和焊接在所述熱沉基板表面的LED芯片。
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