[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202011563550.6 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN113053961A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 金民圭 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
具有顯示區域和非顯示區域的基板;
設置在所述非顯示區域中的下部連接線;
堤層,所述堤層設置在所述下部連接線上并且在所述堤層的下端部的邊緣處具有底切結構;
堤部蝕刻層,所述堤部蝕刻層設置在所述下部連接線與所述堤層之間并且具有在所述堤層的下端部的邊緣內側的邊緣;和
第二驅動電極,所述第二驅動電極設置在所述堤層上并且至少一次電連接至所述下部連接線,
其中在所述堤層中形成有多個堤部孔。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述第二驅動電極通過所述堤部孔連接至所述下部連接線,并且
所述第二驅動電極設置成與所述堤部蝕刻層分隔開。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述堤層在所述顯示區域的發光部中包括堤部開口部,并且
與所述堤部開口部相比,所述堤部孔更密集地設置。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中所述堤部孔形成為比所述堤部開口部小,為所述堤部開口部的1/3到1/5。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中與設置在所述非顯示區域中的堤部蝕刻層的邊緣相比,設置在所述顯示區域中的堤部蝕刻層的邊緣設置在所述堤層的下端部的邊緣內側。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述堤部蝕刻層形成為無機絕緣膜。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中所述無機絕緣膜包括選自硅氮化物、硅氧化物和氮硅氧化物之中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
設置在所述顯示區域中的多個子像素;
對于每個子像素設置的第一驅動電極,所述第一驅動電極由與所述下部連接線相同的材料制成;和
設置在所述第一驅動電極和所述堤層上的空穴注入層,
其中所述空穴注入層在所述堤層的邊緣處分離地設置。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中所述空穴注入層設置成與所述第一驅動電極分隔開。
10.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中所述堤部蝕刻層的厚度大于或等于所述空穴注入層的厚度。
11.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述多個堤部孔之間的間隔比所述顯示區域中的堤層之間的間隔小,為所述顯示區域中的堤層之間的間隔的1/3到1/5。
12.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述堤層由具有與所述堤部蝕刻層的蝕刻速率不同的蝕刻速率的材料制成。
13.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中所述堤層的下端部與所述第一驅動電極的上部垂直分隔開。
14.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中所述空穴注入層由于所述堤部蝕刻層的形狀被分離為形成在所述第一驅動電極的部分和形成在所述堤層上的部分,以使所述空穴注入層對于每個子像素分離地設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





