[發(fā)明專利]用于熱敏相機(jī)焦距檢測(cè)的標(biāo)片制作方法、標(biāo)片及檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011563370.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112687567B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔俊虎;袁地春;沈磊磊;丁建明;崔鐘亨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 韓華新能源(啟東)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 樊曉娜 |
| 地址: | 226200 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 熱敏 相機(jī) 焦距 檢測(cè) 制作方法 方法 | ||
本發(fā)明公開一種用于熱敏相機(jī)焦距檢測(cè)的標(biāo)片的制作方法、標(biāo)片及檢測(cè)方法,第一方法制備標(biāo)片:取正面鍍膜工序前的硅片,在硅片正面中心沾金屬粉末,然后對(duì)沾有金屬粉末的硅片正面鍍膜及多個(gè)工序處理,得到的電池片為標(biāo)片,在加載反向電壓下,標(biāo)片的中心漏電;第二方法制備標(biāo)片:在完成絲網(wǎng)印刷的硅片正面中心涂導(dǎo)電漿液或沾金屬粉末,再經(jīng)過燒結(jié),得到的電池片為標(biāo)片;第三方法制備標(biāo)片:取完成邊緣刻蝕的硅片,對(duì)硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷,再在硅片正面中心沾金屬粉末或涂導(dǎo)電漿液,然后對(duì)硅片燒結(jié),得到硅片為標(biāo)片。本發(fā)明提供的標(biāo)片在加載反向電壓下其中心有漏電現(xiàn)象,能對(duì)應(yīng)熱敏相機(jī)圖像的中心位置,能在軌道上正常傳輸,對(duì)熱敏相機(jī)焦距確認(rèn)更準(zhǔn)確。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏電池制造領(lǐng)域,尤其涉及一種用于熱敏相機(jī)焦距檢測(cè)的標(biāo)片制作方法、標(biāo)片及檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能電池片由于本身硅缺陷和在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的工藝缺陷和污染都有可能出現(xiàn)漏電現(xiàn)象,漏電的危害眾所周知,為了消除這種隱患,在電池片測(cè)試分選工序會(huì)檢測(cè)漏電流,將漏電流大的電池片歸為不合格片,但僅僅采用漏電流區(qū)分不能完全排除漏電導(dǎo)致的組件熱斑危害。采用熱敏相機(jī)抓拍反偏電壓下的電池片漏電熱效應(yīng)可進(jìn)一步排除漏電危害,減小組件熱斑隱患。熱敏相機(jī)是否實(shí)現(xiàn)判定有非常多的影響因素,除了抓拍圖像的完整性,還有抓拍圖像清晰度。由于機(jī)械抖動(dòng)、軟件參數(shù)變動(dòng)、人為誤操作等情況可能導(dǎo)致相機(jī)焦距偏移,引起抓拍的圖像不清晰,最終導(dǎo)出的測(cè)量數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確,電池片熱斑檢測(cè)失效。
為了消除上述影響,需要定期對(duì)熱敏相機(jī)焦距進(jìn)行確認(rèn)。廠家提供的標(biāo)片是一塊四個(gè)角上有小熱敏電阻的銅板,將銅板放在檢測(cè)位置,下壓探針加載電壓,目測(cè)相機(jī)采集的圖片。當(dāng)四個(gè)熱敏電阻處亮度一致時(shí),判定相機(jī)焦距無(wú)異常;當(dāng)4個(gè)熱敏電阻處亮度不一致時(shí),判定圖像異常,需要調(diào)整相機(jī)焦距。但銅板有3個(gè)弊端:1)發(fā)熱點(diǎn)小且分布四角,不利于觀察,參見圖5;2)銅板手動(dòng)放置,每次銅板與探針接觸位置不一致,導(dǎo)致每次測(cè)量結(jié)果有偏差;3)目檢判定亮度,不同人檢測(cè)結(jié)果有偏差。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供了一種用于熱敏相機(jī)焦距檢測(cè)的標(biāo)片制作方法、標(biāo)片及檢測(cè)方法,所述技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供一種用于熱敏相機(jī)焦距檢測(cè)的標(biāo)片的制作方法,以第一方法、第二方法和第三方法制備標(biāo)片,包括如下步驟:
(1)第一方法制備標(biāo)片:取經(jīng)過前道工序且在正面鍍膜工序前制備得到的硅片,在硅片正面中心位置沾金屬粉末,然后對(duì)沾有金屬粉末的硅片進(jìn)行正面鍍膜以及正面鍍膜后的多個(gè)工序處理,制備得到的電池片為標(biāo)片,在加載反向電壓下,所述標(biāo)片的中心位置漏電;
(2)第二方法制備標(biāo)片:取經(jīng)過前道工序且在完成絲網(wǎng)印刷的硅片正面中心位置涂覆預(yù)設(shè)厚度的導(dǎo)電漿液或沾金屬粉末,再經(jīng)過燒結(jié),燒結(jié)后制備得到的電池片為標(biāo)片,所述標(biāo)片中心位置形成導(dǎo)電層,在加載反向電壓下,所述標(biāo)片的中心位置漏電;
(3)第三方法制備標(biāo)片:取經(jīng)過前道工序且完成邊緣刻蝕后的硅片,省略正面鍍膜工序,直接對(duì)硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷處理,再在制備得到的硅片正面中心位置沾金屬粉末或涂覆預(yù)設(shè)厚度的導(dǎo)電漿液,然后對(duì)硅片進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)后制備得到的電池片為標(biāo)片,在加載反向電壓下,所述標(biāo)片的中心位置漏電。
進(jìn)一步地,所述第一方法、第二方法和第三方法中,所述金屬粉末為鋁粉或鐵銹粉。
進(jìn)一步地,所述第二方法和第三方法中,所述導(dǎo)電漿液為鋁漿或銀鋁混合漿。
進(jìn)一步地,所述第二方法和第三方法中,所述標(biāo)片中心位置的導(dǎo)電漿液的厚度小于0.1mm。
進(jìn)一步地,所述導(dǎo)電層為圓形、三角形、方形、菱形或任意形狀結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,所述第一方法:硅片進(jìn)行正面鍍膜前的前道工序依次為制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕、熱氧化、背鈍化;對(duì)硅片正面鍍膜后的多個(gè)工序依次為激光、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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