[發明專利]電平轉換電路在審
| 申請號： | 202011562373.X | 申請日： | 2020-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN112688682A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 徐迪愷 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201314*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平 轉換 電路 | ||
1.一種電平轉換電路，包括：輸入端，輸出端，兩個電源，兩個下拉NMOS管，兩個上拉PMOS管，一反相器，所述輸入端用以輸入一工作在第一電壓域范圍內的信號，所述輸出端用以輸出一工作在第二電壓域范圍內的信號，所述第二電壓域不同于第一電壓域，其特征在于：所述兩個電源分別為第一電源(VDDH)和第二電源(VDDL)，所述第一電源(VDDH)的電壓高于第二電源(VDDL)；
所述電平轉換電路還包括中間電路(10)，所述中間電路設置在所述兩個下拉NMOS管和所述兩個上拉PMOS管之間，所述兩個拉NMOS管和所述兩個上拉PMOS管的工作電壓都不大于Vmax，Vmax為第二電源(VDDL)電壓及第一電源與第二電源電壓差(VDDH-VDDL)中的較高值。
3.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于：所述兩個上拉PMOS管，柵極分別與對方的漏極相連，源極與第一電源VDDH連接，所述兩個下拉NMOS管的柵極與第二電源VDDL相連。
4.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于：所述中間電路(10)包括2個NMOS管和8個PMOS管。
5.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于：所述第一電源(VDDH)的電壓是所述第二電源(VDDL)的兩倍。
6.如權利要求4所述的電平轉換電路，其特征在于：所述電平轉換電路中的所有PMOS管和NMOS管的工作電壓都不大于Vmax。
7.如權利要求3所述的電平轉換電路，其特征在于：兩個下拉NMOS管分別與所述中間電路(10)中的兩個NMOS管構成晶體管堆棧結構。
8.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于：所述輸入端的所述輸入信號的電壓不大于第二電源(VDDL)的電壓。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011562373.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
