[發明專利]發光二極管芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 202011561639.9
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112885935B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 蘭葉;吳志浩;李鵬;陶羽宇
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/40;H05K1/18
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、N型電極、P型電極和焊點，所述P型半導體層、有源層和所述N型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述N型電極與所述N型半導體層電連接，所述P型電極與所述P型半導體層電連接，所述N型電極和P型電極上均具有所述焊點，其特征在于，

所述焊點包括基礎部和位于所述基礎部上的覆蓋部，所述基礎部包括多個周期交替生長的Ti層和Al層，所述覆蓋部包括依次層疊的第一覆蓋層、第二覆蓋層、第三覆蓋層、第四覆蓋層和第五覆蓋層，所述第一覆蓋層為Ni層，所述第二覆蓋層和所述第四覆蓋層均為Ni和Pt的合金層，所述第三覆蓋層為Pt層，所述第五覆蓋層為Au層；

所述第三覆蓋層上具有用于供所述第二覆蓋層和所述第四覆蓋層連通的通孔，部分所述第二覆蓋層和部分所述第四覆蓋層在所述通孔內連通。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述通孔的橫截面為十字形。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第三覆蓋層上具有多個通孔，從所述第三覆蓋層的邊緣至所述第三覆蓋層的中部，所述多個通孔的密度逐漸減小。

4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，沿所述第一覆蓋層至所述第五覆蓋層的層疊方向，所述第二覆蓋層中的Ni組分逐漸減小，所述第四覆蓋層中的Ni組分逐漸增大。

5.根據權利要求4所述的發光二極管芯片，其特征在于，沿所述第一覆蓋層至所述第五覆蓋層的層疊方向，所述第二覆蓋層中的Ni組分從100％逐漸減小到70％，所述第四覆蓋層中的Ni的組分從70％逐漸增大到100％。

6.根據權利要求1至5任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第二覆蓋層、所述第三覆蓋層和所述第四覆蓋層的厚度相等，所述第一覆蓋層的厚度大于所述第二覆蓋層的厚度，所述第五覆蓋層的厚度大于所述第一覆蓋層的厚度。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第五覆蓋層的厚度為500～1500nm。

8.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第二覆蓋層、所述第三覆蓋層和所述第四覆蓋層的厚度均為100～300nm。

9.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一覆蓋層的厚度為300～700nm。

10.一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一外延片，所述外延片包括依次層疊的N型半導體層、有源層和P型半導體層；

將所述外延片與襯底鍵合，使所述P型半導體層、所述有源層和所述N型半導體層依次層疊在所述襯底上；

在所述N型半導體層上形成N型電極，N型電極與N型半導體層電連接；

在所述P型半導體層上形成P型電極，P型電極與P型半導體層電連接；

在所述N型電極和所述P型電極上分別形成焊點，所述焊點包括基礎部和位于所述基礎部上的覆蓋部，所述基礎部包括多個周期交替生長的Ti層和Al層，所述覆蓋部包括依次層疊的第一覆蓋層、第二覆蓋層、第三覆蓋層、第四覆蓋層和第五覆蓋層，所述第一覆蓋層為Ni層，所述第二覆蓋層和所述第四覆蓋層均為Ni和Pt的合金層，所述第三覆蓋層為Pt層，所述第五覆蓋層為Au層；所述第三覆蓋層上具有用于連通所述第二覆蓋層和所述第四覆蓋層的通孔，部分所述第二覆蓋層和部分所述第四覆蓋層位于所述通孔內。