[發明專利]一種基于PWM技術的熔噴布駐極電源

在審

• 申請號: 202011559986.8
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112737390A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 張雷;鄭一專;吳典;周玲玲;崔瑾;姚子豪;鄒昊;楊德健;任磊
• 申請（專利權）人: 南通大學
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;H02M7/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于PWM技術的熔噴布駐極電源，其特征在于，包括交流電源(V_ac)、濾波電容(C)、不控整流橋、逆變電路和高壓包；所述交流電源(V_ac)與不控整流橋連接，所述不控整流橋與逆變電路連接，所述不控整流橋與逆變電路之間并聯濾波電容(C)，所述逆變電路與高壓包連接；

所述不控整流橋由第一二極管(VD₁)、第二二極管(VD₂)、第三二極管(VD₃)和第四二極管(VD₄)構成，所述第一二極管(VD₁)和第二二極管(VD₂)的中間端與交流電源(V_ac)的一端連接，所述第三二極管(VD₃)和第四二極管(VD₄)的中間端與交流電源(V_ac)的另一端連接；

所述逆變電路由第一MOS場效應管(M₁)、第二MOS場效應管(M₂)、第三MOS場效應管(M₃)和第四MOS場效應管(M₄)構成；

所述高壓包包括與逆變電路連接的升壓變壓器、以及與升壓變壓器連接的高壓側整流橋。

2.根據權利要求1所述的一種基于PWM技術的熔噴布駐極電源，其特征在于，所述第一MOS場效應管(M₁)和第二MOS場效應管(M₂)的中間端與升壓變壓器低壓側的一端連接，所述第三MOS場效應管(M₃)和第四MOS場效應管(M₄)的中間端與升壓變壓器低壓側的另一端連接，所述升壓變壓器的高壓側與高壓側整流橋連接。

3.根據權利要求2所述的一種基于PWM技術的熔噴布駐極電源，其特征在于，當第一MOS場效應管(M₁)、第四MOS場效應管(M₄)開通時，流過第二MOS場效應管(M₂)、第三MOS場效應管(M₃)的電流為0，流過第一MOS場效應管(M₁)、第四MOS場效應管(M₄)的電流大小取決于負載電流和高壓包內升壓變壓器激磁電流，其計算公式：

i_M＝i₀+Ni_L

其中，i_M為流過第一MOS場效應管(M₁)、第二MOS場效應管(M₂)的電流，i₀為高壓包內升壓變壓器激磁電流，N為高壓包內升壓變壓器副邊與原邊的匝數比，i_L為熔噴布駐極電源輸出電流；

當第二MOS場效應管(M₂)、第三MOS場效應管(M₃)開通時，流過第一MOS場效應管(M₁)、第四MOS場效應管(M₄)的電流為0，流過第二MOS場效應管(M₂)、第三MOS場效應管(M₃)的電流計算公式與上述公式相同。

4.根據權利要求1所述的一種基于PWM技術的熔噴布駐極電源，其特征在于，所述基于PWM技術的熔噴布駐極電源的實現方法：

當第一MOS場效應管(M₁)、第四MOS場效應管(M₄)開通時，第二MOS場效應管(M₂)、第三MOS場效應管(M₃)處于關斷狀態，電流先后流過不控整流電路、第一MOS場效應管(M₁)、升壓變壓器低壓側、第四MOS場效應管(M₄)，最后，經不控整流電路流回交流電源；

當第二MOS場效應管(M₂)、第三MOS場效應管(M₃)開通時，第一MOS場效應管(M₁)、第四MOS場效應管(M₄)處于關斷狀態，電流經不控整流橋流入，分別經過第第三MOS場效應管(M₃)、升壓變壓器低壓側、第二MOS場效應管(M₂)后，經不控整流橋流出。