[發明專利]集成電路在審
| 申請號: | 202011559384.2 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN113053872A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 王志豪;張尚文;曹敏 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 謝強;黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 | ||
1.一種集成電路,包括:
一第一標準單元,沿著一第一方向從一第一單元邊緣跨越一第一尺寸到一第二單元邊緣,并且沿著與上述第一方向正交的一第二方向從一第三單元邊緣跨越到一第四單元邊緣,其中上述第一標準單元包括一第一主動區和一第二主動區,上述第一主動區和上述第二主動區之間沿著上述第一方向以一第一間距間隔,并且上述第一主動區和上述第二主動區中的每一者沿著上述第一方向跨越一第一寬度;
一第二標準單元,沿著上述第一方向從一第五單元邊緣跨越一第二尺寸到一第六單元邊緣,并且沿著上述第二方向從一第七單元邊緣跨越到一第八單元邊緣,其中上述第二標準單元包括一第三主動區和一第四主動區,上述第三主動區和上述第四主動區之間沿著上述第一方向以上述第一間距間隔,其中上述第二尺寸小于上述第一尺寸,上述第三主動區和上述第四主動區中的每一者沿著上述第一方向跨越一第二寬度,其中上述第二寬度小于上述第一寬度,并且上述第二標準單元被設置以使得上述第五單元邊緣與上述第二單元邊緣對準并接觸;以及
多個柵極堆疊,沿著上述第一方向定向,并且從上述第二標準單元的上述第六單元邊緣連續延伸到上述第一標準單元的上述第一單元邊緣,其中上述第一主動區和上述第二主動區的一結構與上述第三主動區和上述第四主動區的一結構不同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





