[發(fā)明專利]一種二維高性能超高頻諧振器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011558722.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112688656A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫成亮;王磊;劉婕妤;周杰;童欣;謝英 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H03H9/02 | 分類號(hào)： | H03H9/02;H03H9/19;H03H9/64 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 許蓮英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 二維 性能 超高頻 諧振器 | ||
1.一種二維高性能超高頻諧振器，包括：接觸式二維高性能超高頻諧振器、非觸式二維高性能超高頻諧振器；
所述接觸式二維高性能超高頻諧振器包括：壓電層、電極層、電橋；所述電極層沉積于壓電層之上；所述電極層包含多個(gè)子電極；所述子電極形狀為圓環(huán)形、橢圓環(huán)形、圓環(huán)與圓形組合形、橢圓環(huán)與橢圓組合形；所述電橋置于壓電層上方與所述壓電層接觸，所述電橋沉積在所述電極層上方，所述電橋與所述子電極連接；所述子電極存在內(nèi)部空腔，填充溫補(bǔ)材料；所述圓環(huán)與圓形組合形中，所述圓環(huán)與所述圓形通過電橋連接；所述橢圓環(huán)與橢圓組合形中，所述橢圓環(huán)和所述橢圓通過電橋連接；
所述非觸式二維高性能超高頻諧振器包括：壓電層、電極層、電橋；所述電極層沉積于壓電層之上；所述電極層包含多個(gè)子電極；所述子電極形狀為圓環(huán)形、橢圓環(huán)形、圓環(huán)與圓形組合形、橢圓環(huán)與橢圓組合形；所述電橋置于所述電極層上方，所述電橋與所述壓電層不接觸，所述電橋沉積在所述電極層上方，所述電橋與所述子電極連接；所述子電極與所述電橋之間存在內(nèi)部空腔，填充空氣或溫補(bǔ)材料；所述圓環(huán)與圓形組合形中，所述圓環(huán)與所述圓形通過電橋連接；所述橢圓環(huán)與橢圓組合形中，所述橢圓環(huán)和所述橢圓通過電橋連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維高性能超高頻諧振器，其特征在于：
所述子電極的水平方向間距大于諧振器的波長，所述子電極的豎直方向間距大于諧振器的波長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維高性能超高頻諧振器，其特征在于：
所述電橋結(jié)構(gòu)的形狀為矩形，四邊形或多邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維高性能超高頻諧振器，其特征在于：
所述壓電層的材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰、氮化鋁或摻雜氮化鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維高性能超高頻諧振器，其特征在于：
所述電極層的材料選用鉑、鉬、金、鎢、銅或鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維高性能超高頻諧振器，其特征在于：
所述電橋的材料選用鉑、鉬、金、鎢、銅或鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維高性能超高頻諧振器，其特征在于：
所述溫補(bǔ)材料選用二氧化硅等正溫度系數(shù)材料。
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