[發明專利]濺射裝置以及晶圓鍍膜方法

在審

• 申請號: 202011553419.1
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN114672775A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 邊大一;高建峰;丁云凌;劉衛兵
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/50;C23C14/56
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 李晶

1.一種濺射裝置，其特征在于，所述濺射裝置包括反應單元，所述反應單元包括：

反應室，所述反應室內設有多種靶材，所述多種靶材沿所述反應室的周向間隔設置；

置物架，所述置物架上設有至少一個用于放置晶圓的承托位，所述置物架能夠在所述反應室內轉動，以驅使所述承托位與所述多種靶材中的任一種對應設置；

加熱件，所述加熱件的數量與所述承托位的數量一致，所述加熱件與所述承托位對應設置。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，所述承托位的數量與所述多種靶材的數量一致，所述承托位與所述多種靶材對應設置。

3.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，所述加熱件包括加熱部和舉升部，所述舉升部與所述加熱部傳動連接，以驅動所述加熱部向靠近或者遠離所述置物架的方向移動。

4.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，所述加熱件的溫度維持在室溫至600℃之間；

并且/或者所述加熱件與所述多種靶材之間的距離為5cm～20cm。

5.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，所述反應室的反應壓力為10^-2Torr～10^-3Torr。

6.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，所述反應單元還包括阻隔結構，所述阻隔結構用于將相鄰所述承托位彼此隔離。

7.根據權利要求6所述的濺射裝置，其特征在于，所述阻隔結構為惰性氣體形成的氣幕或為可升降的阻斷隔板。

8.根據權利要求1至7任一項所述的濺射裝置，其特征在于，所述濺射裝置還包括取放單元，所述取放單元設置在所述反應室的外側，所述取放單元用于將所述晶圓放入或取出所述反應室。

9.根據權利要求8所述的濺射裝置，其特征在于，所述反應單元的數量為多個，多個所述反應單元在所述取放單元的周向間隔設置。

10.一種晶圓鍍膜方法，該晶圓鍍膜方法根據權利要求1至9任一項所述的濺射裝置來實施的，其特征在于，所述晶圓鍍膜方法包括：

S10：將晶圓放置到一個反應室的置物架的承托位上，使得晶圓與一種靶材對應設置；

S20：對晶圓進行濺射處理；

S30：待晶圓被濺射處理完畢后，驅動置物架轉動，使得晶圓與另一種靶材對應設置；

S40：再次對晶圓進行濺射處理；

S50：若一個反應室內的靶材種類能夠滿足晶圓的鍍膜需求，則重復步驟S30和S40，直至晶圓被濺射處理完成；

S60：若一個反應室內的靶材種類不能夠滿足晶圓的鍍膜需求，將未處理完成的晶圓放置到另一個反應室的置物架的承托位上，使得未處理完成的晶圓與另一個反應室內的一種靶材對應設置，重復步驟S30和S40，直至晶圓被濺射處理完成。