[發明專利]一種三維存儲器的制造方法

在審

• 申請號: 202011553359.3
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687695A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 羅興安;楚明;董洪旺;張高升
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供包括交替堆疊的第一絕緣層和第一犧牲層的疊層結構；所述疊層結構的至少一側形成為臺階區域，所述臺階區域包括多層臺階；所述臺階的頂面曝露所述第一犧牲層；

通入第一氣體，以使所述第一氣體中的抑制元素附著在所述臺階的頂面上；所述抑制元素用于抑制第二絕緣材料的形成；

沉積所述第二絕緣材料，以形成至少覆蓋所述臺階的側壁的第二絕緣層；

沉積第二犧牲材料，刻蝕去除位于所述第二絕緣層表面的第二犧牲材料，保留位于所述臺階頂面的第二犧牲材料作為第二犧牲層，所述第二犧牲層至少與所述臺階頂面曝露的第一犧牲層接觸。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，形成至少覆蓋所述臺階的側壁的第二絕緣層的具體步驟包括：

交替執行通入第一氣體的步驟和沉積所述第二絕緣材料的步驟，直到得到預設厚度的第二絕緣層。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，

所述通入第一氣體的步驟和沉積所述第二絕緣材料的步驟在同一反應腔室進行。

4.根據權利要求1或2所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述沉積第二犧牲材料之前，所述方法還包括：

對所述第二絕緣層進行刻蝕，曝露所述臺階頂面的第一犧牲層，并保留覆蓋所述臺階的側壁的第二絕緣層。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述對所述第二絕緣層進行刻蝕，包括：

通過刻蝕氣體對所述第二絕緣層進行刻蝕；

所述刻蝕氣體包括：N₂O、N₂、Ar或O₂。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，

刻蝕去除位于所述第二絕緣層表面的第二犧牲層的步驟中采用的刻蝕液體為稀氫氟酸；所述稀氫氟酸的配置比例為氫氟酸：去離子水＝1:100～1:200。

7.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，

第一氣體為含氟氣體；

所述抑制元素為氟元素。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，

所述含氟氣體包括NF₃、SF₆或CF₄。

9.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，

沉積所述第二絕緣材料的步驟采用原子層沉積工藝。

10.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，

沉積第二犧牲材料的步驟采用等離子體增強化學氣相沉積工藝。

11.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

刻蝕去除所述疊層結構中的第一犧牲層和位于所述臺階頂面的第二犧牲層，形成空腔；

填充金屬材料于所述空腔，形成柵極層。