[發(fā)明專利]射頻管殼的制備方法及射頻管殼

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011551749.7
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687616B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設計）人: 李仕俊;趙瑞華;唐曉赫;閆妍;徐達;楊彥鋒;張延青;張軍瑩;姜永娜;魏莉媛;董松松;苗潤清;尤兆寧;崔曉娜;曹曉寧
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發(fā)明適用于微波組件技術領域，提供了一種射頻管殼的制備方法及射頻管殼，包括：在基板上濺射多層金屬得到第一種子層，在第一種子層上第一區(qū)域和第二區(qū)域上電鍍金分別制備金導體層；去除金導體層區(qū)域外的第一種子層，在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間制備薄膜電阻，得到第一樣品；對第一樣品采用第一預設溫度烘烤并空氣退火，得到第二樣品；在第二樣品的表面濺射多層金屬得到第二種子層，在第二種子層上電鍍銅制備銅導體層；在第三區(qū)域中的第四區(qū)域上再次電鍍銅，加高銅導體層；去除銅導體層區(qū)域外的第二種子層。本發(fā)明完成高精度金導體層制備，從而實現(xiàn)高密度布線，通過制備銅導體層疊加金導體層的疊加結構，防止電遷移，保證器件長期穩(wěn)定性。

技術領域

本發(fā)明屬于微波組件技術領域，尤其涉及一種射頻管殼的制備方法及射頻管殼。

背景技術

隨著射頻芯片單片在功率、效率和尺寸方面的持續(xù)優(yōu)化，功率放大、濾波、開關等模擬電路功能模塊可以通過單個裸片或堆疊幾個芯片實現(xiàn)。為最終在單個封裝內(nèi)集成完整功能的微波組件，進一步提升集成度，實現(xiàn)微波組件器件化，需要將AD/DA、電源控制和數(shù)字處理等數(shù)字電路芯片集成到射頻管殼內(nèi)，因此射頻管殼需要在滿足高可靠性、氣密和低損耗特性的前提下，既要集成窄線寬、高密度的互聯(lián)線路，又要集成高密度組裝射頻芯片所需的散熱、隔離用厚金屬線路，實現(xiàn)難度極大。

目前，在TR多通道收發(fā)組件中，天線、射頻部分和數(shù)字部分相互獨立，通過母板互聯(lián)，因此集成度較低，然而集成度提高后會帶來多芯片互聯(lián)布線和射頻單元密集排布需散熱以及隔離等問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種射頻管殼的制備方法及射頻管殼，旨在解決現(xiàn)有技術中集成度較低，且集成度提高后會帶來多芯片互聯(lián)布線和射頻單元密集排布需散熱以及隔離等問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例的第一方面提供了一種射頻管殼的制備方法，包括：

在基板上濺射多層金屬得到第一種子層，在所述第一種子層上第一區(qū)域和第二區(qū)域上電鍍金分別制備金導體層，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域不連接；

去除所述金導體層區(qū)域外的第一種子層，在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間制備薄膜電阻，得到第一樣品；

對所述第一樣品采用第一預設溫度烘烤并空氣退火，得到第二樣品；

在所述第二樣品的表面濺射多層金屬得到第二種子層，在所述第二種子層上電鍍銅制備銅導體層，所述銅導體層覆蓋所述第二區(qū)域的金導體層對應區(qū)域中遠離所述第一區(qū)域的部分區(qū)域，以及所述第二種子層上的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域、第二區(qū)域不同，且與所述部分區(qū)域連接；

在所述第三區(qū)域中的第四區(qū)域上再次電鍍銅，加高銅導體層；

去除所述銅導體層區(qū)域外的第二種子層。

作為本申請另一實施例，所述基板為藍寶石基板或玻璃基板。

作為本申請另一實施例，所述第一種子層從下至上均依次包括TaN、TiW、Au；

所述第二種子層從下至上均依次包括Ti、TiW、Cu；

所述第一種子層和所述第二種子層的厚度均為50nm至5000nm。

作為本申請另一實施例，所述在所述第一種子層上第一區(qū)域和第二區(qū)域上電鍍金分別制備金導體層，包括：

通過旋涂或覆膜熱壓方式在所述第一種子層上涂覆第一光阻層，曝光顯影后在裸露的第一區(qū)域和第二區(qū)域電鍍金，得到金導體層；

去除所述第一光阻層；

所述第一光阻層厚度大于5μm；

所述金導體層厚度為2μm至5μm。