[發(fā)明專利]射頻管殼的制備方法及射頻管殼

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011551749.7
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687616B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設計）人: 李仕俊;趙瑞華;唐曉赫;閆妍;徐達;楊彥鋒;張延青;張軍瑩;姜永娜;魏莉媛;董松松;苗潤清;尤兆寧;崔曉娜;曹曉寧
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種射頻管殼的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上濺射多層金屬得到第一種子層，采用光刻定義圖形以在所述第一種子層上第一區(qū)域和第二區(qū)域上電鍍金分別制備金導體層，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域不連接；

去除所述金導體層區(qū)域外的第一種子層，在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間制備薄膜電阻，得到第一樣品；

對所述第一樣品采用第一預設溫度烘烤并空氣退火，得到第二樣品；

在所述第二樣品的表面濺射多層金屬得到第二種子層，在所述第二種子層上電鍍銅制備銅導體層，所述銅導體層覆蓋所述第二區(qū)域的金導體層對應區(qū)域中遠離所述第一區(qū)域的部分區(qū)域，以及所述第二種子層上的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域、第二區(qū)域不同，且與所述部分區(qū)域連接；

在所述第三區(qū)域中的第四區(qū)域上再次電鍍銅，加高銅導體層，所述銅導體層的總厚度大于所述金導體層的厚度；

去除所述銅導體層區(qū)域外的第二種子層。

2.如權利要求1所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述基板為藍寶石基板或玻璃基板。

3.如權利要求1所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述第一種子層從下至上均依次包括TaN、TiW、Au；

所述第二種子層從下至上均依次包括Ti、TiW、Cu；

所述第一種子層和所述第二種子層的厚度均為50nm至5000nm。

4.如權利要求1所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述在所述第一種子層上第一區(qū)域和第二區(qū)域上電鍍金分別制備金導體層，包括：

通過旋涂或覆膜熱壓方式在所述第一種子層上涂覆第一光阻層，曝光顯影后在裸露的第一區(qū)域和第二區(qū)域電鍍金，得到金導體層；

去除所述第一光阻層；

所述第一光阻層厚度大于5μm；

所述金導體層厚度為2μm至5μm。

5.如權利要求3所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述去除所述金導體層區(qū)域外的第一種子層，在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間制備薄膜電阻，得到第一樣品，包括：

通過旋涂或覆膜熱壓方式在所述金導體層和所述第一種子層上涂覆第二光阻層，曝光顯影后在裸露的所述金導體層區(qū)域外的區(qū)域依次腐蝕Au和TiW；

去除所述第二光阻層；

通過旋涂或覆膜熱壓方式在所述金導體層和所述第一種子層上涂覆第三光阻層，曝光顯影后在裸露的TaN區(qū)域腐蝕TaN，剩余所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間TaN作為薄膜電阻，得到第一樣品。

6.如權利要求1所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述對所述第一樣品采用第一預設溫度烘烤并空氣退火，得到第二樣品，包括：

對所述第一樣品采用溫度為350°、時間為30min的空氣退火，得到第二樣品。

7.如權利要求1所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述在所述第二種子層上電鍍銅制備銅導體層，包括：

采用脈沖鍍和直流鍍組合使用的方式，在所述第二種子層上電鍍銅制備銅導體層；

對所述銅導體層研磨，減薄所述銅導體層；

對減薄后的銅導體層進行表面拋光處理；

所述銅導體層的總厚度為50μm至5000μm。

8.如權利要求1或7所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述銅導體層與所述金導體層的疊加區(qū)域大于或等于6μm*8μm。

9.如權利要求3所述的射頻管殼的制備方法，其特征在于，所述去除所述銅導體層區(qū)域外的第二種子層，包括：

采用強酸洗刻蝕液去除所述銅導體層區(qū)域外的第二種子層中的Cu；

采用氧化物刻蝕液依次去除所述銅導體層區(qū)域外的第二種子層中的TiW和Ti；

在所述去除所述銅導體層區(qū)域外的第二種子層之后，還包括：

在銅導體層上鍍鎳金層。

10.一種射頻管殼，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上的第一區(qū)域和第二區(qū)域上依次制備的第一種子層和采用光刻定義圖形制備的金導體層，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域不連接；

在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間制備的薄膜電阻；

在所述第二區(qū)域的金導體層對應區(qū)域中遠離所述第一區(qū)域的部分區(qū)域以及第三區(qū)域上依次制備的第二種子層和銅導體層，所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域、第二區(qū)域不同，且與所述部分區(qū)域連接，所述銅導體層的總厚度大于所述金導體層的厚度。