[發明專利]Si襯底的AlGaN薄膜結構及制備方法

在審

• 申請號: 202011551635.2
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687779A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 高芳亮;楊金銘
• 申請（專利權）人: 深圳市昂德環球科技有限公司;惠州市三航無人機技術研究院
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 武志峰

1.一種Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，包括：生長在Si襯底上的基礎AlN層、生長在所述基礎AlN層上的第一高溫AlN層、生長在所述第一高溫AlN層上的低溫AlN層、生長在所述低溫AlN層上的第二高溫AlN層、生長在所述第二高溫AlN層上的第一AlGaN層、生長在所述第一AlGaN層上的第二AlGaN層，其中所述第二AlGaN層的厚度比所述第一AlGaN層的厚度大。

2.根據權利要求1所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述基礎AlN層的厚度為10～200nm。

3.根據權利要求1所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述第一高溫AlN層的厚度為200～500nm。

4.根據權利要求3所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述第一高溫AlN層的厚度為300～400nm。

5.根據權利要求1所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述低溫AlN層的厚度為200～500nm。

6.根據權利要求5所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述低溫AlN層的厚度為300～400nm。

7.根據權利要求1所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述第二高溫AlN層的厚度為500～800nm。

8.根據權利要求1所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述第一AlGaN層的厚度為100～300nm。

9.根據權利要求1所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構，其特征在于，所述第二AlGaN層的厚度為800～2000nm。

10.一種如權利要求1～9任一項所述的Si襯底的AlGaN薄膜結構的制備方法，其特征在于，包括：

選取Si襯底；

在所述Si襯底上生長基礎AlN層；

在所述基礎AlN層上生長第一高溫AlN層；

在所述第一高溫AlN層上生長低溫AlN層；

在所述低溫AlN層上生長第二高溫AlN層；

在所述第二高溫AlN層上生長第一AlGaN層；

在所述第一AlGaN層上生長第二AlGaN層。