[發明專利]一種具有典型長顆粒形貌、富含層錯和孿晶的碳化硅晶須陶瓷及其制備方法有效
| 申請號: | 202011546366.0 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN112645726B | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發明(設計)人: | 鄒冀;趙曉青;王為民;傅正義 | 申請(專利權)人: | 武漢理工大學 |
| 主分類號: | C04B35/81 | 分類號: | C04B35/81;C04B35/565;C04B35/645 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 吳楚 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 典型 顆粒 形貌 富含 碳化硅 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅晶須陶瓷的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)以β-碳化硅晶須為原料,將其與燒結助劑加入到球磨罐中進行行星球磨混料6~12h,通過旋轉蒸發以及在真空干燥箱中60~100℃干燥后得到復合粉體,其中燒結助劑由氧化硅、氧化鋁、氧化釔組成,燒結助劑相對于碳化硅晶須的含量為5~30wt%;
(2)將步驟(1)得到的復合粉體倒入石墨模具中進行SPS燒結,SPS燒結過程為將復合粉體通過50~150℃/min升溫速度升溫至1400~1900℃,然后在該溫度下保溫5~15min,其中燒結壓力50~200MPa,在燒結初期持續保持壓力至燒結過程結束,得到具有典型長顆粒形貌、富含層錯和孿晶以及力學性能優異的碳化硅陶瓷。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述β-碳化硅晶須平均直徑為50~200nm,長徑比為10~20,金屬雜質含量1wt%。
3.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述燒結助劑中氧化硅20~45wt%、氧化鋁20~30wt%、氧化釔30-50wt%。
4.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,燒結助劑粉體的制備過程如下:將氧化硅、氧化鋁、氧化釔三種粉體加入到行星球磨機的球磨罐中,以無水乙醇作為球磨介質,氮化硅為磨球,料球質量比為1:5~1:2,進行混料6~12h,所得漿料經旋轉蒸發及在真空干燥箱中60~100℃干燥后得到燒結助劑粉體。
5.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)球磨混料以無水乙醇作為球磨介質,氮化硅為磨球,料球質量比為1:5~1:2。
6.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述石墨模具中,模具套筒內壁和粉體之間用厚度為0.2mm的石墨或氮化硼紙隔開。
7.一種碳化硅晶須陶瓷,其特征在于,由權利要求1~6任一項所述的方法制備得到,所述碳化硅晶須陶瓷中碳化硅晶須含量不低于70wt%,內部以長顆粒互鎖結構的晶須為骨架,具有層錯和孿晶結構。
8.如權利要求7所述的碳化硅晶須陶瓷,其特征在于,所述碳化硅晶須陶瓷的相對密度不低于96%,維氏硬度為不低于17GPa;斷裂韌性不低于5MPa·m1/2。
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