[發明專利]對銅金屬層進行CMP處理的方法有效
| 申請號： | 202011543432.9 | 申請日： | 2020-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN112677031B | 公開（公告）日： | 2023-03-10 |
| 發明（設計）人： | 許力恒;夏匯哲;李松;宋振偉;張守龍 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/00 | 分類號： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 羅雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 進行 cmp 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對銅金屬層進行CMP處理的方法，其特征在于，所述方法包括：
將表面沉積有銅的襯底傳送至CMP機臺，將所述襯底固定在CMP機臺的新研磨頭上；
對所述襯底表面進行預研磨，在預研磨過程中通過渦流傳感器檢測襯底表面銅金屬層的渦流電流，根據渦流電流實時監測銅金屬層的厚度；
當監測到所述襯底邊緣區域的厚度為預定厚度時，停止預研磨；所述襯底邊緣的銅厚度大于所述襯底中心區域的銅厚度，其中，對所述襯底邊緣區域施加的壓力小于對所述襯底中心區域施加的壓力；
對所述襯底進行主研磨，對襯底表面的銅金屬層進行平坦化處理，其中，主研磨過程中對襯底施加的壓力大于預研磨過程中對襯底施加的壓力，在主研磨過程中，通過渦流傳感器檢測襯底表面銅金屬層的渦流電流，根據渦流電流實時監測銅金屬層的厚度；根據所述銅金屬層的厚度和目標厚度，自動調整對襯底施加的壓力。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在預研磨過程中，對襯底邊緣區域施加的壓力為0.9psi至1.1psi，對襯底中心區域施加的壓力為1.35psi至1.65psi。
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