[發明專利]無機導電基板的制備方法在審
| 申請號: | 202011534721.2 | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112718435A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 郭冉;胡軍輝;李永東 | 申請(專利權)人: | 深圳市百柔新材料技術有限公司 |
| 主分類號: | B05D7/24 | 分類號: | B05D7/24;B05D7/00;B05D3/02;C09D5/24;C09D11/52 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 田甜 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無機 導電 制備 方法 | ||
本發明適用于導電材料技術領域,提供了一種無機導電基板的制備方法,包括以下步驟:在無機非金屬基材的表面印刷導電漿料或噴涂導電墨水;導電漿料和導電墨水分別包括質量比為10?92:5?95:0.1?10的填料顆粒、溶劑和助劑;進行第一熱處理,使得導電漿料或導電墨水中的填料顆粒氧化,并與無機非金屬基材的表面發生化學反應,在無機非金屬基材的表面形成鍵合層;進行第二熱處理,在鍵合層表面還原形成導電金屬層。本發明提供的無機導電基板的制備方法工藝簡單,所需設備價格低廉,生產效率高,且制得的無機導電基板剛性高、平面度好、熱膨脹系數小、金屬層薄、附著力好,適合用于半導體級的高精密電路板基板。
技術領域
本發明屬于導電材料技術領域,尤其涉及一種無機導電基板的制備方法。
背景技術
目前,采用無機非金屬基材制作導電基板,多采用濺射、氣相沉積等方法制作。但這些方法主要用于半加成導電基板的電鍍種子層,但采用的設備昂貴,特別是對于大型基板無法實現流水化作業,生產效率低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種無機導電基板的制備方法,旨在解決現有技術中采用無機非金屬基材制作導電基板時,采用的設備昂貴、生產效率低的技術問題。
本發明是這樣實現的,一種無機導電基板的制備方法,包括以下步驟:
在無機非金屬基材的表面印刷導電漿料或噴涂導電墨水;所述導電漿料和所述導電墨水分別包括質量比為10-92:5-95:0.1-10的填料顆粒、溶劑和助劑;
進行第一熱處理,使得導電漿料或導電墨水中的填料顆粒氧化,并與無機非金屬基材的表面發生化學反應,在無機非金屬基材的表面形成鍵合層;
進行第二熱處理,在鍵合層表面還原形成導電金屬層。
進一步地,所述助劑包括增稠劑、分散劑、流平劑和消泡劑中的一種或多種。
進一步地,所述溶劑的沸點在250℃以下,表面張力在50mN/m以下。
進一步地,所述填料顆粒包括鐵、鈷、鎳、錫、鉛、銅、銀以及上述金屬的氧化物中的一種或多種。
進一步地,所述填料顆粒的直徑為5nm-5000nm。
進一步地,所述填料顆粒為銅或氧化銅,所述無機非金屬基材為玻璃基材、氧化鋁基材或氮化鋁基材。
進一步地,所述第一熱處理包括以下步驟:
在300℃以下進行烘干處理,加熱時長為5分鐘以上;
在200-600℃下進行排膠處理,加熱時長為5分鐘以上;
在400-1200℃下進行熱處理,加熱時長為1-20分鐘。
進一步地,當無機非金屬基材為玻璃基材時,熱處理溫度為玻璃基材軟化點以上200-500℃,加熱時長為1-10分鐘;當無機非金屬基材為氧化鋁基材或氮化鋁基材時,熱處理溫度為600-1200℃,加熱時長為5分鐘-20分鐘。
進一步地,所述第二熱處理為還原氣氛下進行的高溫還原熱處理,加熱溫度為350-1000℃,加熱時長為5-30分鐘。
進一步地,當無機非金屬基材為玻璃基材時,所述第二熱處理的加熱溫度為玻璃基材軟化點±200℃;當無機非金屬基材為氧化鋁基材或氮化鋁基材時,所述第二熱處理的加熱溫度為600℃-1000℃。
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