[發明專利]一種高壓SiC MOSFET漏源極間非線性電容測量及建模方法有效
| 申請號： | 202011534487.3 | 申請日： | 2020-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN112630544B | 公開（公告）日： | 2022-12-09 |
| 發明（設計）人： | 王來利;李華清;楊成子;朱夢宇 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | G01R27/26 | 分類號： | G01R27/26;G01R31/26;G06F30/3308 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 王艾華 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 sic mosfet 漏源極間 非線性 電容 測量 建模 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓SiC MOSFET漏源極間非線性電容測量及建模方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)進行米勒平臺外的漏源極間電容Cds分段表征；
2)進行開關動態過程中米勒平臺區的漏源極間電容Cds’測量表征；
3)根據米勒平臺外的漏源極間電容Cds分段表征及開關動態過程中米勒平臺區的漏源極間電容Cds’測量表征進行SiC MOSFET漏源極間電容的建模；
米勒平臺外的漏源極間電容Cds分段表征為：
其中，vds為漏源極電壓，a、b及c為節點電壓，A、B、C、D、E、F、G、H及I為擬合系數；
開關動態過程中米勒平臺區的漏源極間電容Cds’測量表征為：
其中，ich為SiC MOSFET溝道電流，ids為SiC MOSFET導通電流，vds為漏源極電壓，Cgd為米勒電容；
SiC MOSFET開通動態過程中柵源極電壓為vgs，在開關過程中有一段時間柵源極電壓vgs保持不變，構成米勒平臺區，此時，漏源極電壓vds下降，根據驅動電源電壓Vgg及米勒平臺處的柵源極電壓VMiller，米勒電容Cgd的值為：
其中，Rg_in和Rg_dr分別為SiC MOSFET芯片內部和柵極驅動器的內部柵電阻，Rg_de為外加驅動電阻；
SiC MOSFET導通電流ids為：
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